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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119555788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411651670.X，技术领域涉及：G01N27/622；该发明授权一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法是由李海洋;徐一仟;陈创;杨其穆;潘慢慢;蒋丹丹设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法，离子迁移谱包括一个气密性良好的离子迁移管，分别于离子迁移管左、右二端相对设置的光电离源和离子接收极，以及位于光电离源和离子接收极之间的离子门，光电离源与离子门之间的区域为电离区，离子门与离子接收极之间的区域为迁移区。该方法通过维持离子迁移管内的气压在10～80kPa范围内，同时，通过调节与电离区相连的隔离高压电源，维持电离区内的电场在300～600Vcm的范围内，使电离后的复杂目标化合物离子在电离区内发生的电荷转移以及质子转移等离子‑分子反应被抑制，从而有利于消除复杂基质对离子迁移谱准确定量和检测低质子亲和势或高电离能目标化合物的影响。

本发明授权一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低光电离离子迁移谱检测复杂样品基质效应的方法，所述光电离离子迁移谱包括分别于左、右二端相对设置的光电离源1和离子接收极8，以及位于光电离源1和离子接收极8之间的离子门9，光电离源1与离子门9之间的区域为电离区10，离子门9与离子接收极8之间的区域为迁移区11；其特征在于：于电离区10上壁面靠近光电离源1一侧设有样品气入口2，样品气入口2通过第一质量流量计3与样品气气源相连；于电离区10上壁面靠近离子门9一侧设有一出气口4，出气口4通过连接管路上依次设置的气压表13、针阀5和机械泵6与大气相通；于迁移区11右侧壁面离子接收极8的上面设有一漂气入口7，漂气入口7通过第二质量流量计12与漂气气源相连； 电离区10、离子门9以及迁移区11均由独立的隔离高压电源控制，实现各自区域的静电场独立调节且不影响其他区域静电场强度； 所述方法具体为： 1通过调节针阀5和机械泵6共同控制离子迁移管内的出气流速，维持离子迁移管内的气压在10~80kPa范围内， 同时，2通过调节与电离区相连的隔离高压电源，维持电离区内的电场在300~600Vcm的范围内。

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