上海交通大学;张江国家实验室李秀妍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学;张江国家实验室申请的专利一种铪基薄膜晶体结构的调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411677025.5，技术领域涉及：C23C14/58；该发明授权一种铪基薄膜晶体结构的调控方法是由李秀妍;崔天宁;司梦维;李东栋;孔帅;吕丹设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铪基薄膜晶体结构的调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变；对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度‑应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构。本发明通过调控铪基薄膜制备过程中的参数向薄膜中引入不同大小的应变，进而通过协同控制退火过程中的温度和铪基薄膜的应变，达到有效、精细调节铪基薄膜的晶体结构的目的，能够实现对材料性能的优化，本发明的调控方法比传统的单一温度或薄膜参数控制更为精确且有效。
本发明授权一种铪基薄膜晶体结构的调控方法在权利要求书中公布了：1.一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变，其中：所述制备参数包括掺杂参数、氧空位浓度参数、薄膜厚度参数、薄膜平面尺寸参数和顶覆盖层参数中的至少一种； 对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度-应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构； 所述铪基薄膜的温度-应变相图的获取过程包括：测试不同参数的铪基薄膜在退火过程中的二维XRD图谱，通过二维XRD图谱获得应变和晶体结构的信息，并将其与对应的温度绘制在一起，得到温度-应变相图。
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