安徽大学胡薇获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121438891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512035939.2，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路是由胡薇;吴迪;吴秀龙;李志豪;彭春雨;卢文娟;戴成虎设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路，涉及集成电路领域，该存内计算单元包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1；F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的源极分别连接行输入线SL1和SL2；F1和F2的漏极、M0的源极和M1的栅极相连；M0的栅极和漏极分别连接使能端口SAE和输出线ML1，M1的漏极和源极分别连接输出线ML2和地线；其中，F1和F2均在自身的VGS0时写入低阈值电压以及在自身的VGS0时写入高阈值电压。在实现多种运算功能的同时，具有结构简单、不需要大量外围电路辅助且计算结果准确等技术效果。
本发明授权基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET的多功能存内计算单元，其特征在于，包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1； F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的栅极分别连接行输入线SL1和SL2； F1和F2的漏极、M0的源极和M1的栅极相连； M0的栅极和漏极分别连接使能端口SAE和输出线ML1，M1的漏极和源极分别连接输出线ML2和地线； 其中，F1和F2均在自身的VGS0时写入低阈值电压以及在自身的VGS0时写入高阈值电压，当F1写入低阈值电压且F2写入高阈值电压时存储第一数值，当F1写入高阈值电压且F2写入低阈值电压时存储第二数值。
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