苏州龙驰半导体科技有限公司高秀秀获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利复合衬底和复合衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512038507.7，技术领域涉及：H10P14/69；该发明授权复合衬底和复合衬底的制备方法是由高秀秀设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合衬底和复合衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种复合衬底和复合衬底的制备方法。复合衬底包括载体衬底；过渡层，过渡层为非氧化物陶瓷层；过渡层层叠于载体衬底厚度方向的一侧；供体衬底，供体衬底层叠于过渡层背离载体衬底的一侧。过渡层能承受更高的温度，能够避免过渡层在退火工艺中出现熔融或分解的情况，进而避免第一界面和第二界面的结构被破坏导致出现电阻率骤升的情况。且可以通过高温辅助保证载体衬底表面或者供体衬底表面或者工艺环境的洁净度，一方面能够辅助消除杂质，另一方面能够避免杂质进入，进而能够减少第一界面和第二界面的内部缺陷，从而能够提高降低载体衬底和供体衬底之间的电阻率的效果。
本发明授权复合衬底和复合衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底，其特征在于：包括， 载体衬底100； 过渡层300，所述过渡层300的材料包括金属碳化物、金属氮化物和金属二硼化物中的至少一种；所述过渡层300层叠于所述载体衬底100厚度方向的一侧；所述过渡层300接合所述载体衬底100； 供体衬底210，所述供体衬底210层叠于所述过渡层300背离所述载体衬底100的一侧；所述供体衬底210接合所述过渡层300； 所述过渡层300的熔点不低于2200度；和或，所述过渡层300的电阻率小于0.1mΩ·cm； 所述过渡层300的材质为碳化锆、碳化钛、碳化铪、碳化钽、碳化铌、氮化钛、氮化锆、二硼化锆、二硼化钛和二硼化铪中的至少一种。
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