合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610005557.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法是由刘苏涛设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；第一器件区的第一有源区上形成有PMOS区栅极和PMOS栅极掩膜层；使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在第一器件区形光刻胶层外部；在第二器件区顶部以及PMOS栅极掩膜层顶部沉积一层沉积氧化硅层；去除第一器件区的光刻胶层；刻蚀去除第一有源区表面自然氧化硅层，进而蚀刻第一有源区的硅，在第一器件区的半导体衬底中形成U型沟槽；对U型沟槽采用TMAH蚀刻形成西格玛沟槽。本发明在进行源漏嵌入锗硅的过程中，避免了PMOS和NMOS的高度差产生，不会影响对后续制程产生影响。
本发明授权一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区；所述第一器件区包括第一有源区，第一有源区上形成有PMOS区栅极，PMOS区栅极顶部具有PMOS栅极掩膜层； 在第一器件区形成光刻胶层，并使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在光刻胶层外部； 在第二器件区顶部以及PMOS栅极掩膜层顶部形成一层沉积氧化硅层； 去除第一器件区的光刻胶层； 刻蚀去除第一有源区表面自然氧化硅层，进而蚀刻第一有源区的硅，在第一器件区的半导体衬底中形成U型沟槽； 对所述U型沟槽采用TMAH蚀刻形成西格玛沟槽； 所述沉积氧化硅层的厚度大于所述第一有源区表面自然氧化硅层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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