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龙图腾网获悉陕西迪泰克新材料有限公司申请的专利一种晶体生长装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121472970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610019463.5，技术领域涉及：C30B13/16；该发明授权一种晶体生长装置及方法是由王苗;贾宁波;何丽丽;黄云云;杨梅;郭平林;王焱;高璐;席守智;汤三奇设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体生长装置及方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种晶体生长装置及方法，晶体生长装置包括保温炉、坩埚、加热器和生长平台，坩埚和加热器均设置于保温炉内，坩埚的内部具有容纳腔，容纳腔包括沿重力方向排布且相连通的第一段和第二段，第一段位于第二段的上方；加热器位于第一段的外周侧，加热器用于加热位于第一段的熔区料；固体多晶原料与熔区料接触形成溶解界面，溶解界面位于第一段内；生长平台与坩埚沿重力方向滑动连接并伸入第二段，生长平台用于支撑晶体，晶体与熔区料接触形成长晶界面，长晶界面位于第二段内；第一段垂直于重力方向的截面面积大于第二段垂直于重力方向的截面面积。本申请提供的技术方案，能够在保障晶体质量的情况下，提高晶体生长效率。

本发明授权一种晶体生长装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置1000，其特征在于，包括： 保温炉100； 坩埚200，设置于所述保温炉100内，所述坩埚200的内部具有容纳腔210，所述容纳腔210用于容纳熔区料2002和固体多晶原料2001，所述容纳腔210包括沿重力方向排布的第一段211和第二段212，所述第一段211位于所述第二段212的上方并与所述第二段212连通，所述第一段211垂直于所述重力方向的截面面积大于所述第二段212垂直于所述重力方向的截面面积，所述固体多晶原料2001与所述熔区料2002接触形成溶解界面510，所述溶解界面510位于所述第一段211内； 加热器300，设置于所述保温炉100内并位于所述第一段211的外周侧，所述加热器300用于加热位于所述第一段211的所述熔区料2002； 生长平台400，与所述坩埚200沿所述重力方向滑动连接并伸入所述第二段212，所述生长平台400用于支撑晶体2003，所述晶体2003与所述熔区料2002接触形成长晶界面520，所述长晶界面520位于所述第二段212内； 所述生长平台400用于带动承托于所述生长平台400上的晶体2003相对所述坩埚200沿重力方向移动。

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