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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121602770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610123421.6，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法及系统是由罗志云;潘梦瑜;王飞设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法及系统，通过解析栅源电压瞬态斜率演化路径提取首阶拐点时刻，将其作为时间锚点关联体二极管压降以反演结温影响，融合净栅极电荷衰减趋势表征工艺与老化效应，进而生成随器件实时状态演化的双点非对称判定点；再结合载流子输运相位特性实施开通提前与关断延后，使驱动动作精准嵌入沟道电导建立与耗尽的真实物理窗口；由此，开通触发发生在沟道电子开始有效注入的临界前移点，关断触发维持至沟道载流子主导耗尽阶段的末端，显著压缩交叠面积，抑制米勒平台拖尾与电压过冲，从根源上降低单次开关能量损耗，并提升系统在宽温度范围与全寿命周期内的运行鲁棒性。

本发明授权基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于动态阈值调控的SiCMOSFET开关损耗协同优化方法，其特征在于，包括：在驱动信号上升沿触发后，以固定采样间隔采集栅源电压瞬态波形，计算其一阶与二阶差分特征，提取首阶拐点时刻；利用首阶拐点时刻作为时间基准，在其后延时窗口内采样体二极管阳极-阴极间电压，结合结温-压降映射关系式生成等效栅压偏移量；将首阶拐点时刻对应的栅源电压值、等效栅压偏移量与工艺离散性衰减因子进行代数合成，形成双域归一化阈值基点；针对SiCMOSFET开通与关断过程中载流子输运相位差异，分别从双域归一化阈值基点减去开通提前量、加上关断延迟量，得到非对称开通动态判定点和非对称关断动态判定点；在滑动时间窗内监测栅源电压单调性变化，当栅源电压跨越非对称开通动态判定点或非对称关断动态判定点时，生成对应的开通触发事件与关断触发事件；计算开通触发事件与关断触发事件的时间间隔，通过迟滞型分段函数生成自适应死区时间，并将死区时间偏差转换为驱动级输出电阻调节量；对非对称开通动态判定点和非对称关断动态判定点进行跨周期低通滤波，当基准偏移量持续超过阈值时更新初始双域归一化阈值基点；实时检测采样冻结、结温超界、对非对称开通动态判定点和非对称关断动态判定点回差丧失异常状态，异常期间调用预存安全驱动模板，异常恢复后以长期记忆拟合预测值为起点重建对非对称开通动态判定点和非对称关断动态判定点。

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