深圳辰达半导体有限公司马奕勉获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121751659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610226962.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法是由马奕勉;马奕俊设计研发完成，并于2026-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及二极管技术领域，具体公开了一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括正面金属电极层；肖特基接触层；重掺杂势垒削弱层；势垒调制过渡层；N型外延层；N⁺型硅衬底层；背面欧姆接触层；背面金属电极层；其中，所述重掺杂势垒削弱层为N⁺⁺型单晶硅层，设置于所述肖特基接触层与势垒调制过渡层之间，用于在超低温条件下减小肖特基势垒宽度并形成准隧穿型载流子注入路径。本发明通过对肖特基接触区势垒高度、势垒宽度及掺杂分布的协同调控，使载流子输运机制在低温条件下由热发射逐步过渡至场辅助注入及准隧穿模式，从而有效降低了–40℃及–55℃条件下的正向导通压降和导通内阻。
本发明授权一种低导通内阻肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通内阻肖特基二极管，其特征在于，所述二极管包括： 正面金属电极层； 肖特基接触层； 重掺杂势垒削弱层； 势垒调制过渡层； N型外延层； N⁺型硅衬底层； 背面欧姆接触层； 背面金属电极层； 其中，所述重掺杂势垒削弱层为N⁺⁺型单晶硅层，其厚度为20-40nm，掺杂浓度为1-3×1019cm-3，设置于所述肖特基接触层与势垒调制过渡层之间，用于在超低温条件下减小肖特基势垒宽度并形成准隧穿型载流子注入路径；所述势垒调制过渡层为N⁺型硅层，其厚度为80-150nm，掺杂浓度自靠近肖特基接触层一侧向靠近N型外延层一侧呈梯度衰减分布，用于降低低温条件下金属-半导体接触电阻并抑制反向漏电流上升。
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