上海衍梓智能科技有限公司郑国获国家专利权
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龙图腾网获悉上海衍梓智能科技有限公司申请的专利半导体设备反应腔体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224178556U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423265402.2，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型半导体设备反应腔体结构是由郑国;杨正平设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备反应腔体结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了半导体设备反应腔体结构。上述反应腔体结构包括由保温内层I和保温外层I构成的下壳体、由保温内层II和保温外层II构成的上壳体、反应腔、用于承载所述下壳体的底座、带动所述上壳体做竖向移动的升降驱动结构、用于承载所述升降驱动结构的架体、以及可拆卸装设于升降驱动结构和上壳体之间的连接件。所述连接件包括和保温内层II顶部相抵持的凸起部、设置于凸起部和保温外层II之间的连接座、焊接在连接座中心位置处的导气部。本实用新型保温内层II和保温外层II不直接受力也可实现共同运动，防止直接受力时对保温层造成的损坏，减少反应腔体损耗的同时，连接件还可拆卸进行更换，进一步降低反应腔体的维护成本。
本实用新型半导体设备反应腔体结构在权利要求书中公布了：1.半导体设备反应腔体结构，包括下壳体、上壳体和反应腔5； 其特征在于，所述下壳体由保温内层I1和保温外层I2构成，且上壳体由保温内层II3和保温外层II4构成； 所述反应腔体结构还包括： 升降驱动结构6，其带动所述上壳体做竖向移动；以及 可拆卸装设于升降驱动结构6和上壳体之间的连接件，其包括和保温内层II3顶部相抵持的凸起部9、设置于凸起部9和保温外层II4之间的连接座8、焊接在连接座8中心位置处的导气部10。
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