株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110087551.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体器件是由山崎舜平设计研发完成，并于2010-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种能够用作存储器件的半导体器件。存储器件包括多个存储单元，并且各个存储单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管设置在包含半导体材料的衬底上并具有在衬底中的沟道形成区。第二晶体管具有氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个彼此电连接。第二晶体管的极低的截止电流允许存储在存储单元中的数据即使在不供电的情况下也能保持相当长的时间。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件， 包括第一晶体管和第二晶体管， 所述第一晶体管具有第一沟道形成区， 所述第二晶体管具有第二沟道形成区， 所述第一沟道形成区具有硅， 所述第二沟道形成区具有氧化物半导体， 在所述第一沟道形成区的上方配置有第一绝缘层， 在所述第一绝缘层的上方配置有所述第二沟道形成区， 在所述第二沟道形成区的上方配置有第二绝缘层， 在所述第二绝缘层的上方配置有第一导电层、第二导电层和第三导电层， 所述第二晶体管的源极和漏极中的一个经由所述第一导电层与所述第一晶体管的栅极电连接， 所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二导电层电连接， 所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三导电层电连接， 在俯视时，所述第一沟道形成区不具有与所述第二沟道形成区重叠的区域， 在俯视时，所述第二导电层在第一方向上延伸配置， 在俯视时，所述第三导电层在所述第一方向上延伸配置， 在俯视时，所述第一导电层在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸配置。
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