意法半导体股份有限公司M·德赖获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和对应的半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114649221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111549300.1,技术领域涉及:H10W74/01;该发明授权制造半导体器件的方法和对应的半导体器件是由M·德赖;D·维特洛设计研发完成,并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和对应的半导体器件在说明书摘要公布了:本公开涉及制造半导体器件诸如QFNBGA倒装芯片型封装的方法和对应的半导体器件。例如,该方法包括在引线框上布置一个或多个半导体芯片或管芯,半导体芯片或管芯具有朝向引线框并与引线框电耦合的第一侧以及远离引线框的第二侧。该方法还包括:在布置在引线框上的半导体芯片上模制封装件,其中封装件具有与引线框相对的外表面并且包括激光直接成型LDS材料。激光直接成型工艺被应用于封装件的LDS材料,以在封装件的外表面和半导体芯片的第二侧之间提供金属过孔,并且在封装件的外表面处提供金属焊盘。
本发明授权制造半导体器件的方法和对应的半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种方法,包括: 在引线框上布置至少一个半导体管芯,所述至少一个半导体管芯具有朝向所述引线框并与所述引线框电耦合的第一侧以及远离所述引线框的第二侧; 在布置在所述引线框上的所述至少一个半导体管芯上模制封装件,其中所述封装件具有与所述引线框相对的外表面,并且包括激光直接成型LDS材料; 对所述封装件的所述LDS材料应用激光直接成型工艺,以便: 在所述封装件的所述外表面与所述至少一个半导体管芯的所述第二侧之间提供至少一个金属过孔,并且 在所述封装件的所述外表面处提供金属焊盘, 其中应用于所述封装件的所述LDS材料的所述激光直接成型工艺包括: 向所述封装件的所述外表面应用激光能量,以便在所述封装件的所述外表面与所述至少一个半导体管芯的所述第二侧之间钻出至少一个激光激活孔,并且提供所述封装件的所述外表面的激光激活;以及 使金属材料形成: 在所述至少一个激光激活孔中,以在所述封装件的所述外表面与所述至少一个半导体管芯的所述第二侧之间提供所述至少一个金属过孔,以及 在所述封装件的所述外表面处,以在所述封装件的所述外表面处提供所述金属焊盘。
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