中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司蔡国辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110344769.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构的形成方法是由蔡国辉设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的侧壁；形成隔离结构后，对鳍部进行阱区注入；进行阱区注入后，回刻蚀部分厚度的隔离结构，露出鳍部的部分侧壁；回刻蚀部分厚度的所述隔离结构之后，对鳍部进行阱区注入后的退火工艺。降低了晶格损伤在退火工艺中形成位错缺陷的概率，从而有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述鳍部的顶部形成有鳍部掩膜层； 在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部和鳍部掩膜层的侧壁； 去除所述鳍部顶部的所述鳍部掩膜层； 去除所述鳍部掩膜层后，对所述鳍部进行阱区注入； 进行所述阱区注入后，回刻蚀部分厚度的所述隔离结构，露出所述鳍部的部分侧壁； 在剩余所述隔离结构露出的所述鳍部的侧壁和顶部形成保护层； 形成所述保护层之后，对所述鳍部进行阱区注入后的退火工艺。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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