深圳朗田亩半导体科技有限公司郭文武获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳朗田亩半导体科技有限公司申请的专利一种GGNMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762915.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种GGNMOS器件是由郭文武;陈余;季翔宇;邰连梁;李广仁设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GGNMOS器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GGNMOS器件，将第一N型子掺杂层、第二N型子掺杂层和第三N型子掺杂层形成在N型阱层处，相当于在第一N型子掺杂层和第二N型子掺杂层之间形成一较大的寄生电阻，同样的在第一N型子掺杂层和第三N型子掺杂层之间形成一较大的寄生电阻，由此在保证GGNMOS器件的漏极结构耐压较高的同时，降低了GGNMOS器件的制作成本。
本发明授权一种GGNMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种GGNMOS器件，其特征在于，包括： P型衬底； 位于所述P型衬底一侧表面上的栅极结构； 分别位于所述栅极结构两侧的源极结构和漏极结构，和位于源极结构远离所述栅极结构一侧的衬底电极结构；其中，所述漏极结构包括注入所述P型衬底的N型阱层，注入所述N型阱层的第一N型子掺杂层和第二N型子掺杂层，所述第二N型子掺杂层位于所述栅极结构与所述第一N型子掺杂层之间，所述第一N型子掺杂层用于外接端子，且所述第一N型子掺杂层和所述第二N型子掺杂层的掺杂浓度大于所述N型阱层的掺杂浓度； 在所述N型阱层的范围区域内：相邻的N型子掺杂层之间的间隙区域处无非金属硅化物相隔离，且相邻的N型子掺杂层之间的间隙区域处仅为所述N型阱层的部分结构； 以及，在所述N型阱层的范围区域内：任意一N型子掺杂层的任意一侧为所述N型阱层的部分结构，使得任意一N型子掺杂层的任意一侧无P型结构。
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