韩美半导体株式会社郑泰泳获国家专利权
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龙图腾网获悉韩美半导体株式会社申请的专利溅射预处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115216724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210291280.0，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权溅射预处理方法是由郑泰泳;郑显权设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本溅射预处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在对半导体材料进行溅射工序之后，从溅射框架分离半导体材料时，能够防止毛边burr的产生，降低不良率，提高产品的可靠性，而且可以缩短工序时间，提高生产性UnitPerHour；UPH的溅射预处理方法，所述方法的特征在于，利用激光来加工使用在半导体材料的溅射工序中的粘合层，从而使粘合层硬化。
本发明授权溅射预处理方法在权利要求书中公布了：1.一种溅射预处理方法，其为用于在除了半导体材料的底面以外的剩余区域形成电磁波屏蔽层的溅射预处理方法，所述方法包括： 准备形成有待粘接所述半导体材料的底面的粘合层的半导体材料粘接部件的步骤； 设定从待粘接所述半导体材料的底面的粘合区域向外侧方向隔开预定间隔的粘合层加工区域的步骤； 沿着所述粘合层加工区域的内侧边缘照射激光，从而加工所述粘合层的第一切割线之后，沿着所述粘合层加工区域的外侧边缘照射激光，从而加工所述粘合层的第二切割线的步骤；或者 沿着所述粘合层加工区域的外侧边缘照射激光，从而加工所述粘合层的第二切割线之后，沿着所述粘合层加工区域的内侧边缘照射激光，从而加工所述粘合层的第一切割的步骤；以及 向所述粘合层加工区域照射激光，从而使所述粘合层硬化的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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