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龙图腾网获悉精工爱普生株式会社申请的专利多个振动器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115250097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210435254.0，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权多个振动器件的制造方法是由村田昭浩设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本多个振动器件的制造方法在说明书摘要公布了：提供振动器件的制造方法，能够以较少的工序数进行制造。振动器件的制造方法包含以下工序：准备包含多个单片化区域的基座晶片；在基座晶片的第1面侧配置振动元件；通过将盖晶片与基座晶片接合，得到按照每个单片化区域形成有收纳振动元件的收纳部的器件晶片；在器件晶片的相邻的单片化区域的边界部处，形成从盖晶片侧起到达比基座晶片与盖晶片的接合部更靠第2面侧的第1槽；在第1槽内配置树脂材料；以及在边界部处形成贯通器件晶片且宽度比第1槽的宽度窄的第2槽，按照每个单片化区域对器件晶片进行单片化而得到多个振动器件。

本发明授权多个振动器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多个振动器件的制造方法，其特征在于，该多个振动器件的制造方法包含以下工序： 准备基座晶片，所述基座晶片具有表面彼此相对的第1面和第2面，且包含多个第1单片化区域，在所述多个第1单片化区域的相邻的第1单片化区域之间具有第1边界部； 按照所述多个第1单片化区域的每个第1单片化区域，在所述基座晶片的所述第1面侧配置振动元件； 经由多个金属层将盖晶片与所述基座晶片的所述第1面接合，所述盖晶片具有与所述多个第1单片化区域对应的多个第2单片化区域，所述多个第2单片化区域的每个第2单片化区域分别具有收纳所述振动元件的凹部，在所述多个第2单片化区域的相邻的第2单片化区域之间具有第2边界部，所述第1边界部与所述第2边界部对齐，在俯视时所述多个金属层的每个金属层包围所述振动元件，在所述多个金属层的相邻的金属层之间、以及所述第1边界部的端部与所述第2边界部的端部之间形成有间隙； 在所述第1边界部和所述第2边界部处形成第1槽，所述第1槽完全贯通所述盖晶片的所述第2边界部，并贯通所述基座晶片的所述第1边界部的至少一部分； 以树脂材料填充于所述间隙和所述第1槽的方式在所述第1槽内配置所述树脂材料；以及 沿着所述第1边界部和所述第2边界部，形成宽度比所述第1槽的宽度窄的第2槽，得到所述多个振动器件。

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