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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层及制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334703B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310010681.9，技术领域涉及：C25D3/46；该发明授权具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层及制法是由詹晓非;朱增伟设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层及制法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层，晶粒内部含有纳米孪晶片层，沉积层与衬底铜材料之间没有过渡层且晶粒尺寸、取向与衬底铜材料相同。制备时，采用电置换沉积技术，通过优化电置换沉积工艺中溶液组成、沉积参数以及衬底铜材料的组织结构，来实现对银沉积层中纳米孪晶片层及取向的控制。本发明克服了现有方法需要额外的光刻工艺、无法避免银层中过渡层的形成、沉积速率低等不足，能够在衬底铜材料表面以高沉积速率选择性沉积，没有过渡层、结合力好、热稳定性强、厚度均匀且具有高度{111}择优取向，方法简单易行，与现有铜制程工艺完美兼容且成本更低。

本发明授权具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层及制法在权利要求书中公布了：1.具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层的制备方法，具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层的微观结构中，晶粒内部含有纳米孪晶片层，沉积层与衬底铜材料之间没有过渡层且晶粒尺寸、取向与衬底铜材料相同； 所述衬底铜材料采用具有高度{111}择优取向的铜； 所述衬底铜材料中的{111}取向与{200}取向的晶面衍射强度之比不低于10：1； 所述衬底铜材料中的{111}取向的晶面占比不低于80%； 其特征在于，具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层的制备方法利用电置换技术在衬底铜材料表面沉积出所具有高度{111}择优取向的全纳米孪晶结构银沉积层，包含如下步骤： 步骤a，衬底铜材料前处理：首先对衬底铜材料的待沉积表面进行除油处理，用去离子水进行冲洗，随后浸入前处理溶液中去除表面氧化膜，最后经氮气吹干； 步骤b，配置电置换溶液，并调节pH； 步骤c，调节电置换溶液温度为30-60℃； 步骤d，将衬底铜材料浸入处于流动状态的电置换溶液中持续10-300秒； 步骤e，将完成电置换的衬底铜材料从电置换溶液中取出，放入流动去离子水中彻底洗净，用洁净的氮气吹干，密封保存。

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