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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116560112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211550010.3，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器是由马赫;李媛;张新平设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器在说明书摘要公布了：本发明涉及电驱动主动VO2MXene超表面太赫兹调制器的制备方法，利用真空抽滤法制备MXene薄膜。利用激光直写法制备MXene超表面。利用磁控溅射技术制备二氧化钒薄膜。将上述制备的石英基底上的二氧化钒薄膜完全浸泡于缓冲氧化物刻蚀液BOE利用上述制备的MXene超表面从水中打捞自支撑二氧化钒薄膜，使得二氧化钒薄膜悬空于MXene超表面上，然后将VO2MXene复合超表面静置1小时等待二者贴合晾干，得到VO2MXene复合超表面。MXene超表面具有高柔性、易于制备的优点。VO2MXene太赫兹调制器具有可主动调控太赫兹波、高调制深度、低触发功率的优点。

本发明授权电驱动主动VO2/MXene超表面太赫兹调制器在权利要求书中公布了：1.电驱动主动VO2MXene超表面太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1.利用真空抽滤法制备MXene薄膜；首先制备MXene溶液，然后用抽滤泵对MXene溶液进行真空抽滤1小时，将样品置于加热板上在80oC环境下烘干2小时，得到自支撑MXene薄膜； 2.利用激光直写法制备MXene超表面；将上述制备好的自支撑MXene薄膜转移至石英框上，然后将样品置于尼康显微镜下，将800nm的激光用50倍物镜聚焦到样品上得到MXene超表面； 3.利用磁控溅射技术制备二氧化钒薄膜；将石英基底夹持在磁控溅射仪器的基片台上，利用纯的钒靶进行溅射，使得基底在室温下，腔体压强稳定在0.6Pa，靶材温度在30oC，溅射功率为55W的条件下进行磁控溅射；溅射完成后将样品转移至管式炉中并通入3.5×10-2mbar的氧气，炉内压强稳定在4.5Pa，将管式炉加热至温度450oC保温10分钟完成退火； 4.利用纳米孔渗透刻蚀的方法制备自支撑二氧化钒薄膜；将上述制备的石英基底上的二氧化钒薄膜完全浸泡于缓冲氧化物刻蚀液BOE溶液中，得到洁净的自支撑二氧化钒薄膜； 5.利用上述制备的MXene超表面从水中打捞自支撑二氧化钒薄膜，使得二氧化钒薄膜悬空于MXene超表面上，然后将VO2MXene复合超表面静置1小时等待二者贴合晾干，得到VO2MXene复合超表面；将上述复合超表面贴附置于带孔的陶瓷片上，将复合超表面两端用导电银胶粘黏金线引出两个电极，将两金线接入陶瓷板两端电极上，制备成VO2MXene超表面太赫兹调制器。

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