上海新微技术研发中心有限公司刘国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利深硅刻蚀设备及其组装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116666253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210152759.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权深硅刻蚀设备及其组装方法是由刘国峰设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本深硅刻蚀设备及其组装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，设备包括：限位装置，限位装置包括一环形侧壁，环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个缺口间隔排布；深硅反应腔体，限位装置套设于深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁，法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接，限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上，以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上。本发明可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生，降低备件消耗，降低生产成本，同时可简化安装，提高设备维护效率，提高生产效率。
本发明授权深硅刻蚀设备及其组装方法在权利要求书中公布了：1.一种深硅刻蚀设备，其特征在于，所述深硅刻蚀设备包括： 限位装置，所述限位装置包括一环形侧壁，所述环形侧壁顶部设有自所述环形侧壁顶面超所述环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个所述缺口间隔排布； 深硅反应腔体，所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部； 法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁； 固定胶片，粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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