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龙图腾网获悉ICT半导体集成电路测试有限公司申请的专利确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116959943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310294235.5，技术领域涉及：H01J37/28；该发明授权确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统是由D·恩伯格;J·布罗伊尔设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统在说明书摘要公布了：描述了一种确定在带电粒子束系统中由具有给定数值孔径NA的聚焦透镜120聚焦到样品10的带电粒子束11的像差的方法。所述方法包括：a.至少基于给定数值孔径NA，针对一组束像差系数C1...n中的第一束像差系数C1的两个或更多个不同值中的每一个，在一个或多个第一散焦设置下模拟一个或多个束横截面，以提供多个第一模拟束横截面；b.从多个第一模拟束横截面中提取与第一束像差系数C1相关的第一像差特性～C1的两个或更多个值；c.确定第一束像差系数C1与第一像差特性～C1之间的第一相关性；d.在一个或多个第一散焦设置下或在一个或多个第二散焦设置下拍摄样品的一个或多个图像，以提供一个或多个拍摄的图像，并且从一个或多个拍摄的图像中检索一个或多个检索到的束横截面；e.从一个或多个检索到的束横截面中提取第一像差特性的检索值；以及f.基于第一相关性并且基于第一像差特性的检索值，确定第一束像差系数的实际值。

本发明授权确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统在权利要求书中公布了：1.一种确定在带电粒子束系统中由具有给定数值孔径的聚焦透镜聚焦到样品的带电粒子束的像差的方法，所述方法包括： a.至少基于所述给定数值孔径，针对一组束像差系数中的第一束像差系数的两个或更多个不同值中的每一个，在一个或多个第一散焦设置下模拟一个或多个束横截面，以提供多个第一模拟束横截面； b.从所述多个第一模拟束横截面中提取与所述第一束像差系数相关的第一像差特性的两个或更多个值； c.确定所述第一束像差系数与所述第一像差特性之间的第一相关性； d.在所述一个或多个第一散焦设置下或在一个或多个第二散焦设置下拍摄所述样品的一个或多个图像，以提供一个或多个拍摄的图像，并且从所述一个或多个拍摄的图像中检索一个或多个检索到的束横截面； e.从所述一个或多个检索到的束横截面中提取所述第一像差特性的检索值；以及 f.基于所述第一相关性并且基于所述第一像差特性的所述检索值，确定所述第一束像差系数的实际值。

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