中电科芯片技术(集团)有限公司冯应恒获国家专利权
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龙图腾网获悉中电科芯片技术(集团)有限公司申请的专利一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116989933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310957924.X,技术领域涉及:G01L19/00;该发明授权一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体是由冯应恒;张劲豪;王露;向路;刘强;陈凤设计研发完成,并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体在说明书摘要公布了:本发明属于压力传感器领域,具体涉及一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体,由压环、波纹膜片、芯体基座、密封钢珠以及位于波纹膜片与芯体基座构成的密封腔内的硅油、陶瓷座、压力芯片和引线等零部件组成。本发明针对传统MEMS压力传感器充油芯体的缺陷从多处结构工艺上进行改进设计,解决了小分子介质渗入、引线断裂失效和高压连接密封等问题,特别适用于高压小分子介质的压力精确测量。
本发明授权一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体在权利要求书中公布了:1.一种适用于高压小分子介质的MEMS压力传感器充油芯体,其特征在于,包括:压环1、波纹膜片2、芯体基座3、密封钢珠4以及位于波纹膜片2与芯体基座3构成的密封腔内的硅油5、陶瓷座6、压力芯片7和引线8; 所述芯体基座3顶部开设有腔体,所述压环1将所述波纹膜片2压在所述芯体基座3顶部的腔体上端,且所述压环1、波纹膜片2、芯体基座3之间采用激光焊接密封,使所述波纹膜片2与所述芯体基座3之间构成密封腔; 所述芯体基座3的腔体底部到芯体基座3底面开设有多个通孔和一个注油孔;所述多个通孔内通过玻璃烧结有引脚;所述注油孔为沉孔结构,注入硅油5后通过密封钢珠4在沉孔结构内预压后进行激光焊接密封; 所述陶瓷座6为圆环结构通过结构胶固定在所述芯体基座3的腔体底部,所述陶瓷座6正面设置有凸台63、有多个通孔以及一个注油孔,所述陶瓷座6正面设置的多个通孔和一个注油孔与所述芯体基座3上设置的多个通孔和一个注油孔大小和位置相对应;所述凸台63上设置有多个杯型注胶孔61与所述陶瓷座6正面设置的多个通孔相邻,所述多个杯型注胶孔61底部设置有多个胶流通孔62; 所述芯体基座3的腔体底部中央设置有圆形或矩形沉台,所述压力芯片7放置在所述陶瓷座6的圆环结构内通过芯片粘结胶固定在所述芯体基座3的腔体底部中央的沉台内,且所述引线8跨过所述凸台63上的杯型注胶孔61连接所述压力芯片7上的电极和所述芯体基座3的通孔内的引脚,且通过将结构胶注入所述杯型注胶孔61将所述引线8固定。
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