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龙图腾网获悉北京晶亦精微科技股份有限公司申请的专利一种晶圆的研磨方法及研磨后的晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117381549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311596879.6，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种晶圆的研磨方法及研磨后的晶圆是由李勋勋;邵辉;牛孝昊设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆的研磨方法及研磨后的晶圆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆的研磨方法及研磨后的晶圆，所述研磨方法依次包括第一研磨、第二研磨、第三研磨、第四研磨和第五研磨，其中，第一研磨、第二研磨、第三研磨和第四研磨为对晶圆表面的金属膜进行研磨，所述第四研磨结束后将晶圆表面的金属膜全部研磨完成；研磨的厚度满足：T0＝2×T1‑T2‑0.2；T1＝0.7×T0‑0.2；T2＝4×T3‑0.4；其中，T0为晶圆表面金属膜的初始厚度，T1为第一研磨后剩余的金属膜厚度，T2为第二研磨后剩余的金属膜厚度，T3为第三研磨后剩余的金属膜厚度。本发明采用了五步研磨，其中前四步研磨对晶圆表面的金属膜进行特定厚度的研磨，最终提升研磨效率，同时改善晶圆的表面缺陷。

本发明授权一种晶圆的研磨方法及研磨后的晶圆在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的研磨方法，其特征在于，依次包括第一研磨、第二研磨、第三研磨、第四研磨和第五研磨，其中，第一研磨、第二研磨、第三研磨和第四研磨为对晶圆表面的金属膜进行研磨，所述第四研磨结束后将晶圆表面的金属膜全部研磨完成； 研磨的厚度满足： T0=2×T1-T2-0.2； T1=0.7×T0-0.2； T2=4×T3-0.4； 其中，T0为晶圆表面金属膜的初始厚度，T1为第一研磨后剩余的金属膜厚度，T2为第二研磨后剩余的金属膜厚度，T3为第三研磨后剩余的金属膜厚度； 所述晶圆表面金属膜的初始厚度为3.5μm-5μm； 所述第一研磨时，研磨盘对晶圆表面进行施加压力为2.2psi-2.6psi，并注入流速为250mLmin-350mLmin的金属抛光液； 所述第二研磨时，研磨盘对晶圆表面进行施加压力为2.2psi-2.5psi，并注入流速为250mLmin-350mLmin的金属抛光液； 所述第三研磨时，研磨盘对晶圆表面进行施加压力为2.2psi-2.5psi，并注入流速为250mLmin-350mLmin的金属抛光液； 所述第四研磨时，研磨盘对晶圆表面进行施加压力为1.4psi-1.8psi，并注入流速为250mLmin-350mLmin的金属抛光液； 所述第五研磨时，所述第五研磨为去除晶圆表面阻挡层并研磨介电质，所述介电质的研磨厚度为1μm-1.5μm； 所述第五研磨结束后进行晶圆清洗，实现晶圆干进干出； 所述第三研磨和第四研磨在同一研磨盘中进行，所述第一研磨、第二研磨和第五研磨分别独立地在不同的研磨盘中进行。

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