湖南新锋科技有限公司王剑获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南新锋科技有限公司申请的专利一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117684142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311833912.2，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用是由王剑;施海平;施帅;施应洁;施振;伍水平;马峰;罗浩;王宝峰设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用，所述钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钽基体，设置于钽基体表面的Ta‑B化合物梯度过渡层以及设置于Ta‑B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ta‑B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层中还含有Ta元素掺杂。本发明所提供的复合涂层材料具有良好的膜基结合性能，优异的导电性，高稳定性和良好的电化学性能。
本发明授权一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料，其特征在于：所述钽基硼掺杂金刚石半导体复合涂层材料由钽基体，设置于钽基体表面的Ta-B化合物梯度过渡层以及设置于Ta-B化合物梯度过渡层表面的梯度硼掺杂金刚石半导体层组成，所述Ta-B化合物梯度过渡层，由下至上硼含量梯度增加；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层，由下至上硼含量梯度减少；所述梯度硼掺杂金刚石半导体层中还含有Ta元素掺杂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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