珠海深圳清华大学研究院创新中心陈志文获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海深圳清华大学研究院创新中心申请的专利一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117758217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311672459.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法是由陈志文;杜松;刘俐;刘胜设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法，本发明使用磁控溅射在TSV底部沉积一定厚度的ZrW2‑xMoxO8薄膜，然后电镀一定厚度的铜后，重复上述步骤，在Cu中间沉积多层ZrW2‑xMoxO8薄膜；而ZrW2‑xMoxO8是一种具有负热膨胀系数的材料，热膨胀系数为‑4.3×10‑6至‑7.7×10‑6K‑1，这种材料在加热时收缩而不是膨胀，在硅通孔的热处理例如退火或温度循环期间，硅通孔中的Cu会膨胀，而ZrW2‑xMoxO8材料发生收缩而不是膨胀，可以部分抵消硅通孔组成材料之间的热膨胀系数不匹配引起的热诱导应力。因此，本发明制备方法制备的硅通孔能够提高铜填充TSV的可靠性，同时允许优化器件性能例如，允许铜的更高温度退火。
本发明授权一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种能够抑制铜挤出的硅通孔的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤： S1：以硝酸氧锆、钨酸铵、钼酸铵为原料，用共沉淀法制备前驱体； S2：前驱体烧结退火得ZrW2-xMoxO8靶材； S3：对ZrW2-xMoxO8靶材进行预溅射； S4：利用S3中已经预溅射的ZrW2-xMoxO8靶材，使用射频磁控溅射技术在已经除油除锈预处理过的硅基底的硅通孔底部沉积薄膜； 所述硅基底上形成有硅通孔以及与硅通孔连通的沟槽，沟槽设置于硅基底的表面； S5：将S4处理过的硅通孔进行清洗、烘干处理； S6：将S5处理过的硅通孔进行电镀铜处理； S7：将S3-S6至少重复一次，直至金属层填满硅通孔； S8：将S7制备得到的硅通孔进行清洗和烘干，最终得到能够抑制铜挤出的硅通孔。
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