豪威科技股份有限公司陈杉获国家专利权
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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利深N-阱驱动型斜波缓冲器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118488334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410142570.8，技术领域涉及：H04N25/77；该发明授权深N-阱驱动型斜波缓冲器是由陈杉;海老原弘知;王睿;田贞富设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本深N-阱驱动型斜波缓冲器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种深N‑阱驱动型斜波缓冲器。一种局部斜波缓冲器包含：深N‑阱层，其在P‑衬底的表面下方安置于所述P‑衬底中；P‑阱，其安置于所述P‑衬底的所述表面与所述深N‑阱层之间；及N‑阱结构，其安置于所述P‑衬底中并耦合到所述深N‑阱层。所述N‑阱结构安置于所述P‑衬底的所述表面与所述深N‑阱层之间。所述P‑阱安置于所述N‑阱结构中的开口内部。所述N‑阱结构及所述深N‑阱层经配置以隔离所述开口内的所述P‑阱。源极跟随器晶体管安置于所述P‑阱中。所述源极跟随器晶体管包含耦合到所述N‑阱结构及斜波产生器的栅极端子。
本发明授权深N-阱驱动型斜波缓冲器在权利要求书中公布了：1.一种局部斜波缓冲器，其包括： 深N-阱层，其在P-衬底的表面下方安置于所述P-衬底中； P-阱，其安置于所述P-衬底的所述表面与所述深N-阱层之间； N-阱结构，其安置于所述P-衬底中并耦合到所述深N-阱层，其中所述N-阱结构安置于所述P-衬底的所述表面与所述深N-阱层之间，其中所述P-阱安置于所述N-阱结构中的开口内部，且其中所述N-阱结构及所述深N-阱层经配置以隔离所述P-衬底的所述表面与所述深N-阱层之间的所述N-阱结构中的所述开口内的所述P-阱；及 源极跟随器晶体管，其安置于所述P-阱中，其中所述源极跟随器晶体管包含耦合到所述N-阱结构及斜波产生器的栅极端子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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