比亚迪股份有限公司凌和平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉比亚迪股份有限公司申请的专利一种功率模块的制造方法及功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310239693.9，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种功率模块的制造方法及功率模块是由凌和平;潘华;刘海军;秦嗣涛;武运峰设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率模块的制造方法及功率模块在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率模块的制造方法及功率模块。该制造方法包括：提供第一基板，第一基板包括三个彼此电隔离设置的第一金属层；在第一金属层上设置上桥芯片组，上桥芯片组中的上桥芯片与第一金属层导通；提供第二基板，第二基板包括三个彼此电隔离设置的第二金属层；在第二金属层上设置下桥芯片组，下桥芯片组中的下桥芯片与第二金属层导通；利用第一导电缓冲件连接上桥芯片与第二金属层，以及利用第二导电缓冲件连接下桥芯片与第一金属层。本申请将三个半桥结构集成为一体，采用双面封装，利用导电的缓冲块进行芯片与金属层之间的导流，缩短了导流距离，减小了杂散电感，提高了散热，可以制造工艺简单，体积小、结构紧凑且可靠性高的功率模块。
本发明授权一种功率模块的制造方法及功率模块在权利要求书中公布了：1.一种功率模块的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤： 提供第一基板，所述第一基板包括三个彼此电隔离设置的第一金属层； 在所述第一基板的每个所述第一金属层上均设置上桥芯片组，所述上桥芯片组中的上桥芯片与所述第一金属层导通； 提供第二基板，所述第二基板包括三个彼此电隔离设置的第二金属层； 在所述第二基板的每个所述第二金属层上均设置下桥芯片组，所述下桥芯片组中的下桥芯片与所述第二金属层导通； 利用第一导电缓冲件连接所述上桥芯片与所述第二金属层，以及利用第二导电缓冲件连接所述下桥芯片与所述第一金属层； 在设置所述上桥芯片组之后，所述制造方法还包括：将所述上桥芯片的源极和或栅极和与之导通的所述第一金属层通过引线键合导通； 在设置所述下桥芯片组之后，所述制造方法还包括：将所述下桥芯片的源极和或栅极和与之导通的所述第二金属层通过引线键合导通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人比亚迪股份有限公司，其通讯地址为：518118 广东省深圳市坪山区比亚迪路3009号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励