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龙图腾网获悉烟台齐新半导体技术研究院有限公司申请的专利一种高分辨率图形的制备方法及纳米压印图形母版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411657555.3，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种高分辨率图形的制备方法及纳米压印图形母版是由张子安;黄兆兴设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高分辨率图形的制备方法及纳米压印图形母版在说明书摘要公布了：本申请提供一种高分辨率图形的制备方法及纳米压印图形母版，该制备方法利用深硅刻蚀技术的高选择比、方向性及薄膜沉积工艺的高台阶覆盖的特点，通过在图形间隙内沉积薄膜的方式来减小图形尺寸，从而可以在不需要提高电子束光刻本身分辨率的前提下获得更高分辨率、更小尺寸的纳米压印图形，同时还可以通过修改刻蚀及薄膜沉积的参数，实现对纳米压印母版不同形貌的控制以及母版图形尺寸的缩小或放大，进而得到不同特征尺寸的纳米压印图形。此外，本申请的制备方法中是在不改变掩膜的前提下获得尺寸可调的纳米压印图形，即仅用一个掩膜即可，大大简化了工艺流程，降低成本。

本发明授权一种高分辨率图形的制备方法及纳米压印图形母版在权利要求书中公布了：1.一种高分辨率图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S100：提供一第一衬底10，在所述第一衬底10上设置具有第一图形结构14的掩膜12； S200：采用深硅刻蚀工艺通过所述第一图形结构14在所述第一衬底10上制得第二图形结构16，去除掩膜12； S300：在所述第一衬底10的所述第二图形结构16所在侧沉积钝化层18，使得钝化层18覆盖所述第二图形结构16的内壁及所述第一衬底10的表面，获得第一纳米压印母版20；其中，所述钝化层18沉积后，所述第二图形结构16的间隙宽度由初始宽度a1减小为a1-2b1，b1为沉积在第二图形结构16侧壁上的钝化层厚度； S400：在所述第一纳米压印母版20的图形间隙内填充母版胶，使得所述母版胶图形化成母版胶图形22，通过软膜24将所述母版胶图形22结合转移出； S500：提供一第二衬底26并在所述第二衬底26上涂覆纳米压印胶28，将所述母版胶图形22压盖在所述纳米压印胶28上，对所述纳米压印胶28进行紫外固化处理，将所述母版胶图形22分离出，即在所述纳米压印胶28上形成母版图形结构30；所述母版图形结构30的间隙宽度为a1′=a1-2b1。

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