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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119358612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411326372.3，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路是由王宏;闫晨;马晓华;王瑞;曾桐龙设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路，包括：信号传输模块和编码模块；信号传输模块，用于将接收到的光照信号转换为输出电压，并将输出电压传输至编码模块；其中，输出电压与光照信号的强度成正相关；编码模块，用于根据输出电压的变化量得到震荡编码信号。上述技术方案将光照信号转化为电压，在通过输出电压的变化量，得到与LIF神经元特性一致的震荡编码信号，输出电压可以根据识别光照强度增加和减小而变化，也与事件驱动结构特性一致，实现了利用简单的电路结构对光照变化进行电压编码输出，一定程度上促进了类脑计算中事件驱动结构研究的发展。

本发明授权一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路在权利要求书中公布了：1.一种基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路，其特征在于，所述基于易失性忆阻器的事件触发型神经元电路包括：信号传输模块和编码模块；所述信号传输模块包括：外接栅极电源、外接漏极电源、光电薄膜晶体管和传压电阻；所述外接栅极电源的正极与所述光电薄膜晶体管的栅极连接，所述外接漏极电源的正极与所述光电薄膜晶体管的漏极连接，所述光电薄膜晶体管的源级与所述传压电阻的第一端连接，所述外接栅极电源的负极接地，所述外接漏极电源的负极接地，所述传压电阻的第二端接地；所述编码模块包括：微分电容、易失性忆阻器；所述微分电容的第一端接入输出电压，所述微分电容的第二端与所述易失性忆阻器的第一端连接，所述易失性忆阻器的第二端接地； 所述信号传输模块，用于将接收到的光照信号转换为输出电压，并将所述输出电压传输至所述编码模块；其中，所述输出电压与光照信号的强度成正相关； 所述信号传输模块还用于根据所述光电薄膜晶体管当前接收到的光照强度得到流经传压电阻的电流值；还用于根据所述电流值得到所述输出电压； 所述编码模块，用于根据所述输出电压的变化量得到震荡编码信号； 所述编码模块，还用于根据所述输出电压得到所述微分电容的充放电电流；还用于根据所述充放电电流得到处于高阻态的易失性忆阻器的第一电压和处于低阻态的易失性忆阻器的第二电压；还用于根据所述第一电压和所述第二电压得到所述震荡编码信号。

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