西安交通大学孔晨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119522016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411636282.4，技术领域涉及：H10N10/17；该发明授权一种碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法是由孔晨;高禹同;宋忠孝;林雪琴;张子悦;刘洋洋设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法。包括碲化铋基板以及在所述碲化铋基板沉积的阻挡层，阻挡层包括Fe‑Ni‑Cr阻挡层和Ti‑Au阻挡层，Fe‑Ni‑Cr阻挡层位于碲化铋基板的上表面，Fe‑Ni‑Cr阻挡层的上表面设有铜基板，Ti‑Au阻挡层位于碲化铋基板的下表面，Ti‑Au阻挡层的下表面设有银电极层。本发明在沿碲化铋基板上沉积阻挡层，其中，Fe‑Ni‑Cr层构建更强悍的连接界面，在阻碍后续元素扩散的过程中提供更强的机械连接性能；构建的Ti‑Au阻挡层，有效提高连接的机械强度和扩散阻挡作用，相比于无阻挡层的体系具有显著的优势。
本发明授权一种碲化铋热电器件的封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碲化铋热电器件的封装结构，其特征在于，包括碲化铋基板1以及在所述碲化铋基板1沉积的阻挡层，所述阻挡层包括Fe-Ni-Cr阻挡层2和Ti-Au阻挡层3，所述Fe-Ni-Cr阻挡层2位于所述碲化铋基板1的上表面，所述Fe-Ni-Cr阻挡层2的上表面设有铜基板4，所述Ti-Au阻挡层3位于所述碲化铋基板1的下表面，所述Ti-Au阻挡层3的下表面设有银电极层5；所述Fe-Ni-Cr阻挡层2为在碲化铋基板1的上表面依次沉积的Fe层、Ni层和Cr层，所述Ti-Au阻挡层3为在碲化铋基板1的下表面依次沉积沉积的Ti层和Au层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励