中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789497B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943955.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由李永亮;周雨设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化制造具有不同阈值电压绝对值的至少五类环栅晶体管的制造过程，降低半导体器件的制造难度。所述半导体器件包括：半导体基底、以及设置在半导体基底上的至少五类环栅晶体管。不同类环栅晶体管沿平行于半导体基底表面的方向间隔分布。其中，不同类环栅晶体管中，不同沟道区包括的纳米结构的至少部分材料不同，且不同沟道区包括的纳米结构中材料不同的部分沿半导体基底的厚度方向交错分布。至少五类环栅晶体管中，属于至少两类环栅晶体管的不同沟道区包括的纳米结构的部分材料相同，且不同沟道区包括的纳米结构中材料相同的部分沿半导体基底的厚度方向对齐。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底、以及设置在所述半导体基底上的至少五类环栅晶体管；不同类所述环栅晶体管沿平行于所述半导体基底表面的方向间隔分布； 其中，不同类所述环栅晶体管中，不同沟道区包括的纳米结构的至少部分材料不同，且不同所述沟道区包括的所述纳米结构中材料不同的部分沿所述半导体基底的厚度方向交错分布；所述至少五类环栅晶体管中，属于至少两类所述环栅晶体管的不同所述沟道区包括的所述纳米结构的部分材料相同，且不同所述沟道区包括的所述纳米结构中材料相同的部分沿所述半导体基底的厚度方向对齐； 至少五类所述环栅晶体管中，至少两类所述环栅晶体管所在区域处所述半导体基底的表面高度不同。
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