东芯半导体股份有限公司胡嘉伦获国家专利权
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龙图腾网获悉东芯半导体股份有限公司申请的专利上电检测电路及上电检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411962901.9，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权上电检测电路及上电检测方法是由胡嘉伦设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本上电检测电路及上电检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种上电检测电路，其特征在于，包括：电源检测部，所述电源检测部从外部的电源输入外部电源信号，从芯片的内部电源输入比所述外部电源信号的电压要高的高电压信号，对所述高电压信号进行检测,得到与所述外部电源信号的电压相同的高电压检测信号；延迟部，所述延迟部对从所述电源检测部输入的所述高电压检测信号延迟规定时间，得到延迟电压检测信号；以及锁存部，所述锁存部从所述外部的电源输入外部电源检测信号，从所述延迟部输入所述延迟电压检测信号，对所述延迟电压检测信号进行锁存并输出最终检测信号。
本发明授权上电检测电路及上电检测方法在权利要求书中公布了：1.一种上电检测电路，其特征在于，包括： 电源检测部，所述电源检测部从外部的电源输入外部电源信号，从芯片的内部电源输入比所述外部电源信号的电压要高的高电压信号，对所述高电压信号进行检测,得到与所述外部电源信号的电压相同的高电压检测信号； 延迟部，所述延迟部对从所述电源检测部输入的所述高电压检测信号延迟规定时间，得到延迟电压检测信号；以及 锁存部，所述锁存部从所述外部的电源输入外部电源检测信号，从所述延迟部输入所述延迟电压检测信号， 其中，所述锁存部基于所述外部电源检测信号而使能启动，之后基于所述延迟电压检测信号锁定所述高电压检测信号的当前状态，并输出最终检测信号。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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