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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920672.4，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法是由刘炜;王迪;言铖瑞;刘泽宇;张耀;宋一凡设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法，包括衬底、GaN模板层、锥形介质阵列层、第一InGaN量子点层、第一GaN势垒层、第二InGaN量子点层、第二GaN势垒层；GaN模板层生长在衬底上；锥形介质阵列层生长在GaN模板层上；第一InGaN量子点层生长在GaN模板层上；第一GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第一InGaN量子点层上；第二InGaN量子点层生长在第一GaN势垒层上；第二GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第二InGaN量子点层上；多个周期排列的InGaN量子点层、GaN势垒层，依次重复生长在第二GaN势垒层上，形成多层InGaN量子点结构。本发明可以实现对量子点的密度、尺寸、分布等的精确调节，生长的InGaN量子点具有工艺简单且晶体质量高的优点。

本发明授权一种锥形介质阵列InGaN量子点结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锥形介质阵列InGaN量子点结构，其特征在于，包括衬底、GaN模板层、锥形介质阵列层、第一InGaN量子点层、第一GaN势垒层、第二InGaN量子点层、第二GaN势垒层； 所述GaN模板层生长在衬底上； 所述锥形介质阵列层生长在GaN模板层上； 所述第一InGaN量子点层生长在第一GaN模板层上；所述第一InGaN量子点层全部外延生长在锥形介质阵列层中锥形介质阵列单元之间的间隔区域，且不会生长在锥形介质阵列单元表面； 所述第一GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第一InGaN量子点层上； 所述第二InGaN量子点层生长在第一GaN势垒层上； 所述第二GaN势垒层均匀生长并完全覆盖在第二InGaN量子点层上； 多个周期排列的InGaN量子点层、GaN势垒层，依次重复生长在第二GaN势垒层上，形成多层InGaN量子点结构； 所述锥形介质阵列层中的阵列单元为采用电子束曝光、纳米压印或自对准多重曝光技术形成的纳米级尺度的均匀阵列分布；所述锥形介质阵列层为利用各向同性刻蚀工艺的钻蚀技术形成的顶部尖锐且侧壁倾斜光滑的圆锥形或金字塔形结构； 所述锥形介质阵列层由氧化硅、氮化硅、氧化铪或氧化铝绝缘介质材料形成。

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