海信家电集团股份有限公司储金星获国家专利权
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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119855225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411978344.X,技术领域涉及:H10D84/80;该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由储金星设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种半导体装置及半导体装置的制造方法,半导体装置包括:基板半导体基板,具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面;绝缘栅双极型晶体管区域;快恢复二极管区域;绝缘层,设置有分别位于快恢复二极管区域和绝缘栅双极型晶体管区域的第一接触孔和第二接触孔;第一半导体区,其位于快恢复二极管区域;第一钛膜,其设置于第一接触孔内;第二半导体区,其位于绝缘栅双极型晶体管区域;第二钛膜,其设置于第二接触孔内;第一半导体区从所述第一主面到半导体基板内在第一方向的深度为A,第二半导体区从第一主面到所述半导体基板内在第一方向的深度为B,A和B满足关系式:A≤0.45B。本申请的技术方案可以提升半导体装置的反向恢复性能。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置100,其具有半导体基板1,所述半导体基板1在第一主面101和第二主面102之间具有第一导电类型的漂移层2,其中,所述第一主面101和第二主面102在第一方向上相对设置,该半导体装置100的特征在于,包括: 绝缘栅双极型晶体管区域1001,其具有从所述半导体基板1的所述第一主面101将第一导电类型的发射极层10和第二导电类型的基极层4贯穿而到达所述漂移层2的沟槽栅极6,及与所述漂移层2相比设置于所述第二主面102侧的所述第二导电类型的集电极层12,其中,所述沟槽栅极6为多个,多个所述沟槽栅极6在第二方向上间隔设置,所述沟槽栅极6的长度在第三方向上延伸设置,所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直; 快恢复二极管区域1003,其具有与所述漂移层2相比设置于所述第一主面101侧的第二导电类型的阳极层15,及与所述漂移层2相比设置于所述第二主面102侧的所述第一导电类型的阴极层14; 绝缘层8,其设置于所述第一主面101上,所述绝缘层8设置有第一接触孔801和第二接触孔802,所述第二接触孔802位于所述绝缘栅双极型晶体管区域1001,所述第一接触孔801位于所述快恢复二极管区域1003; 所述快恢复二极管区域1003还包括第二导电类型的第一半导体区7和第一钛膜8011; 所述第一半导体区7选择性地设置于所述阳极层15的第一主面101侧,与所述阳极层15相比第二导电类型的杂质浓度高,所述第一半导体区7朝向所述第一主面101的一侧构成所述第一主面101的至少部分,所述第一接触孔801贯穿所述绝缘层8并使所述第一半导体区7露出; 所述第一钛膜8011设置于所述第一接触孔801内,与所述第一半导体区7接触,所述第一半导体区7通过所述第一接触孔801与发射极金属17电连接; 所述绝缘栅双极型晶体管区域1001还包括第二导电类型的第二半导体区9和第二钛膜8021; 所述第二半导体区9选择性地设置于所述基极层4的第一主面101侧,与所述基极层4相比第二导电类型的杂质浓度高,所述发射极层10选择性地设置于所述基极层4的第一主面101侧,所述第二半导体区9和所述发射极层10朝向所述第一主面101的一侧均构成所述第一主面101的至少部分,所述第二接触孔802贯穿所述绝缘层8并使所述第二半导体区9和所述发射极层10露出; 所述第二钛膜8021设置于所述第二接触孔802内,与所述第二半导体区9接触,所述第二半导体区9和所述发射极层10均通过所述第二接触孔802与所述发射极金属17电连接; 其中,设定所述第一半导体区7从所述第一主面101到所述半导体基板1内在第一方向的深度为A,所述第二半导体区9从所述第一主面101到所述半导体基板1内在第一方向的深度为B,A和B满足关系式:A≤0.45B; 在所述第一接触孔801内第一方向邻近所述第一半导体区7一侧的所述第一钛膜8011与所述第一半导体区7相互接触,以形成第一硅化钛层8012,所述第一硅化钛层8012从所述第一主面101向所述半导体基板1内沿第一方向延伸,设定所述第一硅化钛层8012从所述第一主面101到所述半导体基板1内在第一方向的深度为C,C、A和B满足关系式:A≤C≤0.5B。
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