中国科学院微电子研究所李博获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利铪基铁电器件及其性能调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510021589.1，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权铪基铁电器件及其性能调控方法是由李博;马海力;陆芃;王磊;张栋;胡征涛设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本铪基铁电器件及其性能调控方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种铪基铁电器件及其性能调控方法，可以应用于铁电薄膜改性技术领域。该器件包括：衬底层；位于衬底层上的底电极层；位于底电极层上的铪基铁电薄膜，其中，铪基铁电薄膜的矫顽电场强度参数由粒子束辐照调节得以改进的；以及位于铪基铁电薄膜上的顶电极层。该性能调控方法包括：在衬底层上沉积底电极层；在底电极层上沉积铪基铁电薄膜；在铪基铁电薄膜上沉积顶电极层，得到中间器件；以及对中间器件进行快速退火，得到铪基铁电器件；通过使用粒子束对铪基铁电器件进行辐照，调节铪基铁电器件中的铪基铁电薄膜的矫顽电场强度参数，得到调控性能后的目标铪基铁电器件。
本发明授权铪基铁电器件及其性能调控方法在权利要求书中公布了：1.一种经辐照粒子改性的铪基铁电器件，包括： 衬底层； 位于所述衬底层上的底电极层； 位于所述底电极层上的铪基铁电薄膜，其中，所述铪基铁电薄膜的矫顽电场强度参数是由粒子束辐照调节得以改进的；其中，所述粒子束用于基于电离辐射效应和位移辐射效应协同在所述铪基铁电薄膜内产生t相结构以降低所述矫顽电场强度参数，所述矫顽电场强度参数包括1.30MVcm；以及 位于所述铪基铁电薄膜上的顶电极层；其中，所述粒子束是在穿过所述顶电极层的情况下对所述铪基铁电薄膜辐照的； 其中，所述粒子束包括质子束；所述质子束的辐照能量范围为1×10-1keV~1×50MeV；所述质子束的粒子注量率范围为1×107pcm2s~1×1016pcm2s。
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