中芯万业科技有限公司郑翔宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯万业科技有限公司申请的专利一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121415041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511298202.3,技术领域涉及:G06V10/25;该发明授权一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法及系统是由郑翔宇设计研发完成,并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法及系统,涉及芯片表面缺陷检测技术领域,本发明包括亚微米级缺陷融合检测和混合缺陷层级化解析,通过端到端融合网络模型实现超分辨率重建与缺陷检测一体化,提升亚微米级缺陷检测灵敏度;利用特征解耦‑关联推理模型生成主缺陷类型、关联缺陷类型及成因概率的层级化解析报告。此外,还包括缺陷分布热力图生成和工艺参数智能反馈步骤,优化工艺调整策略。本发明能够显著提高缺陷检测精度与效率,为半导体制造质量控制提供技术支持。
本发明授权一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于机器视觉的芯片表面智能检测方法,其特征在于,包括: S1、获取待检测芯片表面的低分辨率图像,并将所述低分辨率图像输入至端到端融合网络模型;所述端到端融合网络模型内集成有超分辨率重建模块和缺陷检测模块; 所述端到端融合网络模型为基于Transformer的多尺度特征对齐网络; S2、通过所述超分辨率重建模块对所述低分辨率图像中的候选缺陷区域进行局部特征增强,生成高清缺陷特征;并基于所述高清缺陷特征,由所述缺陷检测模块直接输出针对亚微米级缺陷的初步检测结果; 所述通过所述超分辨率重建模块对所述低分辨率图像中的候选缺陷区域进行局部特征增强的具体过程包括:在所述多尺度特征对齐网络中,利用其自注意力机制识别所述低分辨率图像中与预设缺陷模板相关性高的区域作为所述候选缺陷区域; 对所述候选缺陷区域的图像进行多尺度上采样与特征对齐,在保留亚微米级细节的同时重建所述高清缺陷特征,并将所述高清缺陷特征传递至所述缺陷检测模块,所述高清缺陷特征被用于直接学习从低分辨率输入到高清缺陷分类结果的端到端映射; 所述缺陷检测模块直接输出针对亚微米级缺陷的初步检测结果的具体过程包括: 接收由所述超分辨率重建模块生成的、经过多尺度上采样与特征对齐的高清缺陷特征; 将所述高清缺陷特征输入至所述缺陷检测模块内置的分类器与定位器中;所述分类器负责识别所述高清缺陷特征对应的缺陷类别; 所述定位器负责输出所述缺陷在芯片表面坐标系中的精确位置边界框;整合所述缺陷类别与所述位置边界框,形成包含类别标签与坐标信息的所述初步检测结果; S3、针对所述初步检测结果中识别出的混合缺陷区域,启动特征解耦-关联推理模型; S4、通过所述特征解耦-关联推理模型中的卷积神经网络对所述混合缺陷区域的图像数据进行基础特征提取,获得一组解耦的基础特征向量; 所述通过所述特征解耦-关联推理模型中的卷积神经网络进行基础特征提取的具体过程包括: 将识别出的所述混合缺陷区域的图像数据并行送入多个预训练的卷积神经网络分支,所述混合缺陷区域至少包含两种不同的缺陷类别; 第一分支网络用于提取所述混合缺陷区域的灰度分布特征; 第二分支网络用于提取所述混合缺陷区域的边缘轮廓特征; 第三分支网络用于提取所述混合缺陷区域的表面纹理特征; 将所述灰度分布特征、边缘轮廓特征和表面纹理特征共同组合为所述解耦的基础特征向量集合,每一个基础特征向量对应一种特定的视觉维度; S5、利用图神经网络对所述基础特征向量间的拓扑关联性进行推理分析,生成包含主缺陷类型、关联缺陷类型以及成因概率的层级化解析报告; 所述生成包含主缺陷类型、关联缺陷类型以及成因概率的层级化解析报告的具体过程包括: 将全局缺陷表征向量输入至一个多任务输出层; 所述多任务输出层的第一任务分支输出一个主缺陷分类结果,该结果对应于置信度最高的缺陷类型; 所述多任务输出层的第二任务分支输出一个或多个关联缺陷分类结果,该结果对应于与主缺陷共存的其他缺陷类型; 所述多任务输出层的第三任务分支基于所述主缺陷分类结果和关联缺陷分类结果的组合,从预设的缺陷组合-成因映射库中匹配并输出一个或多个成因及其对应的概率值,最终形成所述层级化解析报告; 所述方法还包括: S7、工艺参数智能反馈:将缺陷分布热力图中缺陷密度最高的区域定义为关键失效区域,所述缺陷密度具体为单位面积缺陷数量; 提取所述关键失效区域内所有缺陷的层级化解析报告,统计其中出现频率最高的缺陷类型组合及关联的最高概率成因; 将所述最高概率成因与工艺数据库中的工艺步骤进行关联匹配,自动生成针对特定工艺步骤的参数调整建议,所述参数调整建议包括调整蚀刻时长、优化清洗液浓度或更换光刻掩模板。
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