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龙图腾网获悉成都铭科思微电子技术有限责任公司申请的专利一种CMOS超宽带高增益高功率放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121791835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610249103.4，技术领域涉及：H03F3/217；该发明授权一种CMOS超宽带高增益高功率放大器是由刘超;李想;雷宇;吴霜毅设计研发完成，并于2026-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS超宽带高增益高功率放大器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS超宽带高增益高功率放大器，涉及功率放大器技术领域，包括多驱动改善型D类放大器和多级紧凑型耦合peaking分布式放大器；多级紧凑型耦合peaking分布式放大器依次相连，输入射频信号通过输入线路连接到第一级紧凑型耦合peaking分布式放大器，第N级紧凑型耦合peaking分布式放大器的输出端通过输出线路连接所述多驱动改善型D类放大器的输入端，多驱动改善型D类放大器的输出端输出射频信号。本发明的优点是解决了传统分布式放大器面积大、增益和输出功率较低的问题。

本发明授权一种CMOS超宽带高增益高功率放大器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS超宽带高增益高功率放大器，其特征在于，包括多驱动改善型D类放大器和多级紧凑型耦合peaking分布式放大器； 多级紧凑型耦合peaking分布式放大器依次相连，输入射频信号通过输入线路连接到第一级紧凑型耦合peaking分布式放大器，第N级紧凑型耦合peaking分布式放大器的输出端通过输出线路连接所述多驱动改善型D类放大器的输入端，多驱动改善型D类放大器的输出端输出射频信号； 所述紧凑型耦合peaking分布式放大器作为驱动级且用于提高带宽，所述多驱动改善型D类放大器作为功率输出级且用于提升宽带的输出功率； 所述多驱动改善型D类放大器包括六层场效应管单元； 所述场效应管单元的连接方法为： 第i层场效应管单元包括一个电容和一个P型场效应管，i=1,2,3； 第j层场效应管单元包括一个电容和一个N型场效应管，j=4,5,6； 每层所述场效应管单元的电容的第一端连接到一起，构成所述多驱动改善型D类放大器的输入端； 第四电容的第二端连接第一P型场效应管的栅极，第一P型场效应管的源极连接第二直流源； 第五电容的第二端连接第二P型场效应管的栅极，第二P型场效应管的源极连接第一P型场效应管的漏极； 第六电容的第二端连接第三P型场效应管的栅极，第三P型场效应管的源极连接第二P型场效应管的漏极； 第七电容的第二端连接第三N型场效应管的栅极，第三N型场效应管的漏极连接第三P型场效应管的漏极； 第八电容的第二端连接第二N型场效应管的栅极，第二N型场效应管的漏极连接第三N型场效应管的源极； 第九电容的第二端连接第一N型场效应管的栅极，第一N型场效应管的漏极连接第二N型场效应管的源极，第一N型场效应管的源极接地； 第三P型场效应管的漏极和第三N型场效应管的漏极的公共节点作为所述多驱动改善型D类放大器的输出端。

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