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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121793664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610254838.6，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构是由许耀光;王兆祥;彭国发;方文强;朱亚迪;冯志俊;黄招祺设计研发完成，并于2026-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构，包括：提供表面上形成有多个结构图形的衬底，形成将结构图形的顶部覆盖且表面具有凹陷的介质层，旋涂有机物层将凹陷填满，使用第一蚀刻选择比对有机物层的表面进行缺省掩膜的第一蚀刻，去除凹陷以外的介质层表面上的有机物层，并在凹陷中留有顶面不低于介质层表面的剩余的有机物层，使用大于第一蚀刻选择比的第二蚀刻选择比，对介质层的表面和剩余的有机物层的顶面进行缺省掩膜的第二蚀刻，直至凹陷及其中剩余的有机物层最终被同步消除，得到消除了凹陷的介质层的平坦化表面。本申请能避免采用传统CMP平坦方式带来的研磨缺陷及底部损伤。

本发明授权一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的平坦化方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面上形成多个结构图形； 在所述衬底的表面上形成介质层，将相邻的所述结构图形之间的间隙填满，并在所述间隙上方的所述介质层的表面上形成凹陷，所述凹陷的底部高于下方所述结构图形的顶部； 在所述介质层的表面上旋涂有机物层，将所述凹陷填满并溢出； 使用对所述介质层的蚀刻速率大于对所述有机物层的蚀刻速率的第一蚀刻选择比，对所述有机物层的表面进行缺省掩膜的第一蚀刻，直至所述凹陷以外的所述介质层表面上的所述有机物层被完全去除，得到位于所述凹陷以外的所述介质层的第一平坦表面，同时所述凹陷中仍留有剩余的有机物层，且所述剩余的有机物层的顶面不低于所述第一平坦表面； 使用对所述介质层的蚀刻速率大于对所述有机物层的蚀刻速率的第二蚀刻选择比，对所述第一平坦表面和所述剩余的有机物层的顶面进行缺省掩膜的第二蚀刻，直至所述凹陷及其中的所述剩余的有机物层随所述第一平坦表面的逐渐下降而被同步消除，得到消除了所述凹陷的所述介质层的第二平坦表面，且所述第二平坦表面高于所述结构图形的顶部； 所述第一蚀刻选择比小于所述第二蚀刻选择比。

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