复旦大学王天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种柔性可重构神经元器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210780618.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种柔性可重构神经元器件及其制备方法是由王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性可重构神经元器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种柔性可重构神经元器件及其制备方法。该柔性可重构神经元器件包括：柔性衬底；底层电极，其为惰性金属，形成在所述柔性衬底上；二维半导体纳米片层，形成在所述底层电极上；高k铪基氧化物介质层，形成在所述二维半导体纳米片层上；顶层电极，其为活性金属，形成在所述高k铪基氧化物介质层上，通过在顶层电极上施加不同大小的电压脉冲，改变顶层电极中的金属离子迁移与积累的过程，控制功能层中导电细丝的强弱，实现器件在易失性神经元和非易失性神经突触之间的切换，在同一器件实现重构功能。
本发明授权一种柔性可重构神经元器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性可重构神经元器件，其特征在于， 包括： 柔性衬底； 底层电极，其为惰性金属，形成在所述柔性衬底上； 二维半导体纳米片层，形成在所述底层电极上； 高k铪基氧化物介质层，形成在所述二维半导体纳米片层上； 顶层电极，其为活性金属，形成在所述高k铪基氧化物介质层上， 通过在顶层电极上施加不同大小的电压脉冲，改变顶层电极中的金属离子迁移与积累的过程，控制功能层中导电细丝的强弱，实现器件在易失性神经元和非易失性神经突触之间的切换，在同一器件实现重构功能， 所述高k铪基氧化物介质层为HfTaOx，HfAlOx，HfSiOx，HfTiOx， 所述二维半导体纳米片层为WS2，MoS2，ReS2，WSe2，MoSe2，ReSe2，MoTe2。
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