买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511916620.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于字线材料层和功能层之间的介质层；字线材料层邻近功能层的一侧设置有沿第一方向延伸的凹陷部，凹陷部沿第二方向自上至下凹陷且凹陷部的侧壁被字线材料层围绕；介质层覆盖凹陷部的表面和字线材料层的顶面，功能层覆盖介质层的表面且填充满凹陷部，功能层包括沿第二方向自上至下相连的主体部和突出部，突出部位于凹陷部中，主体部位于突出部和覆盖字线材料层的顶部的介质层上，且沿第三方向，突出部的尺寸小于主体部的尺寸；字线材料层和功能层均包含导电材料。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 衬底，所述衬底包括至少一个有源区，所述有源区包括沟道区和掺杂区； 至少穿过所述有源区的字线结构，所述字线结构位于所述衬底上且沿第一方向延伸，所述沟道区包围所述字线结构的外侧壁，沿第三方向，所述掺杂区位于所述字线结构的两侧，所述字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于所述字线材料层和所述功能层之间的介质层；所述字线材料层邻近所述功能层的一侧设置有沿所述第一方向延伸的凹陷部，所述凹陷部沿所述第二方向自上至下凹陷且所述凹陷部的侧壁被所述字线材料层围绕；所述介质层覆盖所述凹陷部的表面和所述字线材料层的顶面，所述功能层覆盖所述介质层的表面且填充满所述凹陷部，所述功能层包括沿所述第二方向自上至下相连的主体部和突出部，所述突出部位于所述凹陷部中，所述主体部位于所述突出部和覆盖所述字线材料层的顶部的介质层上，且沿第三方向，所述突出部的尺寸小于所述主体部的尺寸； 其中，所述字线材料层和所述功能层均包含导电材料，所述第一方向和所述第三方向平行于所述衬底的表面且相交，所述第二方向平行于所述衬底的厚度方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢5层501-10；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。