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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512059357.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制备方法是由孙鹏超;钟宝健;张明;冯唯;孙政;刘明源设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，堆叠结构包括有源层；在有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，开口贯穿堆叠结构，并暴露衬底；在开口内填充金属材料，并使金属材料与暴露的衬底形成第一保护层；去除金属材料；其中，第一方向与衬底上表面相交，并和第二方向垂直。在金属材料填充开口时，金属材料能够吸附于暴露的衬底上表面，并与衬底反应自对准形成第一保护层，省略沉积、刻蚀工艺步骤，节省工艺成本，且第一保护层为金属硅化物，第一保护层能够抵抗湿法刻蚀溶液，避免湿法刻蚀溶液损坏衬底，起到保护衬底的作用。

本发明授权半导体结构及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，所述堆叠结构包括有源层； 在所述有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，所述开口贯穿所述堆叠结构，并暴露所述衬底； 在开口内填充金属材料，并使所述金属材料与暴露的所述衬底形成第一保护层； 去除所述金属材料； 其中，所述第一方向与所述衬底上表面相交，并和所述第二方向垂直；所述堆叠结构还包括底层介电层、层间介质层，所述底层介电层位于所述衬底上表面，所述层间介质层位于所述底层介电层和所述有源层之间，所述开口贯穿所述底层介电层； 在暴露所述衬底之后，还包括以下步骤： 去除所述底层介电层围绕所述开口的部分，使所述衬底和所述层间介质层之间形成间隙，所述间隙环设于所述开口周围并与所述开口连通； 在开口内填充金属材料时，所述金属材料能够填充于所述间隙并与所述衬底接触形成第二保护层。

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