武汉中航传感技术有限责任公司官威获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉中航传感技术有限责任公司申请的专利一种隔离封装应力的MEMS压力芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224216199U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521509728.7，技术领域涉及：G01L1/18；该实用新型一种隔离封装应力的MEMS压力芯片是由官威;周璇;李鹏璐设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种隔离封装应力的MEMS压力芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种隔离封装应力的MEMS压力芯片，包括管壳，所述管壳的顶端固定有粘接剂，且粘接剂的顶端固定有硅支座，两组所述管壳之间设置有表压孔，所述硅支座内部的顶端设置有上端伸缩缝，所述硅支座内部的底端设置有下端伸缩缝，所述硅支座的顶端安装有芯片体。本实用新型通过在芯片上设计全新的支座结构来隔离封装应力，同时将玻璃支座变为更易加工且与芯片性质一致的单晶硅，彻底消除封装应力对传感器的影响。热膨胀应力释放结构设计用于适应因温度变化引起的材料膨胀和收缩，防止过度应力和潜在损坏。这些结构通常利用伸缩缝或其他设计特征，允许材料在不受约束的情况下自由移动，从而释放应力。
本实用新型一种隔离封装应力的MEMS压力芯片在权利要求书中公布了：1.一种隔离封装应力的MEMS压力芯片，其特征在于,包括： 对称分布的两组管壳2，两组管壳之间形成表压孔4； 硅支座1，通过粘接剂6固定于所述管壳2顶端； 芯片体7，安装于所述硅支座1顶端； 上端伸缩缝3，设置于硅支座1内部顶端，形状为正方形且与芯片体7背腔匹配； 下端伸缩缝5，设置于硅支座1内部底端，呈环形分布； 其中，所述上端伸缩缝3和下端伸缩缝5构成热膨胀应力释放结构。
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