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最新专利技术
  • 光检测装置、电子设备及制造光检测装置的方法
    光检测装置、电子设备及制造光检测装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480054945.3
    提供一种能够减小芯片面积的光检测装置。该光检测装置包括半导体层、布线层、端子焊盘和元件。半导体层包括光电转换单元，且一个表面是光入射面，而另一个表面是元件形成面。布线层层叠在半导体层的元件形成面上。端子焊盘至少部分地位于半导体层内，并与所述...
    2026-05-08
  • 外延生长用基板、光半导体元件的制造方法及光半导体元件
    外延生长用基板、光半导体元件的制造方法及光半导体元件_同和电子科技有限公司_202480064383.0
    提供一种具有缓冲层叠体的外延生长用基板，其即使进行支撑基板的贴合、初始生长用基板的去除也不产生裂纹。一种外延生长用基板，其具有：初始生长用基板、上述初始生长用基板上的蚀刻停止层、以及上述蚀刻停止层上的缓冲层叠体，上述缓冲层叠体具有：具有互不...
    2026-05-08
  • μLED装置和用于制造μLED装置的方法
    μLED装置和用于制造μLED装置的方法_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480063469.1
    本发明涉及一种μLED装置，其包括具有第一掺杂类型的第一层和第二掺杂类型的第二层以及介于第一层与第二层之间的有源层结构的层堆叠。第一接触部覆盖第一层的表面，所述表面背离有源层结构。半导体层形成沉积在第二层的表面上的微透镜，所述表面背离有源层...
    2026-05-08
  • 显示模块
    显示模块_三星电子株式会社_202480063823.0
    公开了一种显示模块。所公开的显示模块包括：玻璃衬底；薄膜晶体管(TFT)层，形成在玻璃衬底的一个表面上；以及多个发光二极管，布置在TFT层上。TFT层包括：多个像素电路，布置成网格并且用于驱动多个发光二极管；以及多个面板中栅极(GIP)电路...
    2026-05-08
  • 显示模组和透明显示装置
    显示模组和透明显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001726.9
    一种显示模组和显示装置，显示模组包括阵列排布且相互独立的多个显示基板，所述显示基板包括透明基底以及设置在所述透明基底上的多个发光器件；相邻两个所述显示基板之间存在间隙；所述显示模组还包括透明支撑基板，所述多个显示基板都位于所述透明支撑基板的...
    2026-05-08
  • 一种发光器件及其制作方法、显示装置
    一种发光器件及其制作方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001718.4
    一种发光器件及其制作方法、显示装置，发光器件包括：衬底基板(1)，以及层叠设置在衬底基板(1)上的第一电极(2)、第一载流子传输层(3)、发光层(4)、第二载流子传输层(5)和第二电极(6)；第一电极(2)包括多个间隔设置的第一通孔(H1)...
    2026-05-08
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001760.6
    一种显示基板及显示装置。显示基板包括背板(101)、反射层(202)及发光功能层；发光功能层包括第一发光功能层、第二发光功能层以及第三发光功能层，第一发光功能层包括第一发光层，第一发光层被配置为在电场作用下出射蓝色光线，第二发光功能层包括第...
    2026-05-08
  • 朝向高深宽比特征的底部之原位侧壁钝化
    朝向高深宽比特征的底部之原位侧壁钝化_应用材料公司_202480060207.X
    半导体处理方法可包括将含硅前体及含氧前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在所述处理区域内。特征可延伸穿过在所述基板上设置的一或多个材料层。所述方法可包括形成所述含硅前体及所述含氧前体的等离子体流出物。所述方法可包括使所述基板与所述...
    2026-05-08
  • 用于形成具有降低的介电常数及高机械强度之低K介电材料的方法
    用于形成具有降低的介电常数及高机械强度之低K介电材料的方法_应用材料公司_202480063796.7
    范例半导体处理方法可包括：将第一含硅前体及第二含硅前体提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于所述半导体处理腔室的所述处理区域内。所述第一含硅前体可包括Si‑O键结。所述方法可包括：于所述处理区域中形成所述第一含硅前体及所述第二含硅前体...
    2026-05-08
  • 蚀刻方法和蚀刻装置
    蚀刻方法和蚀刻装置_东京毅力科创株式会社_202480064319.2
    本公开的蚀刻方法包括以下工序：第一气体供给工序，在第一期间向用于保存形成有氧化硅膜的基板的处理容器内供给含氟气体；第二气体供给工序，在包括与所述第一期间重叠的共同供给期间的第二期间，向所述处理容器内供给碱性气体；以及第一排气工序，为了利用所...
    2026-05-08
  • 处理方法、处理系统以及检查装置
    处理方法、处理系统以及检查装置_东京毅力科创株式会社_202480063317.1
    一种处理方法，是用于第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括以下工序：朝向所述第一基板的周缘部处的、所述第一基板与所述第二基板之间的界面照射激光束，来在所述界面形成所述第一基板与所述第二基板剥离了的接合力下降区域；检...
    2026-05-08
  • 对不平坦的基材进行去层
    对不平坦的基材进行去层_概念系统公司_202480061813.3
    本发明涉及借助于去层装置(100)去除布置在不平坦的基材(10)上的工作层(12、12’)的边缘区域(14、14’)。去层装置(100)具有去层单元(20)、工作平面运动单元(30)和距离调整单元(50)。所述去层单元(20)构成为用于去除...
    2026-05-08
  • 超临界基板清洗装置及利用其的超临界基板清洗方法
    超临界基板清洗装置及利用其的超临界基板清洗方法_克赛米有限公司_202480062980.X
    本发明的一实施例提供超临界基板清洗装置，包括：腔室部，在内部形成收容空间；以及块部，设置于所述收容空间，具有隔开的一对上部块和下部块，并对配置于所述上部块和下部块之间的基板进行支撑，通过与所述腔室部相连接的第一流体供给口向所述收容空间供给的...
    2026-05-08
  • 调温工作台以及检查装置
    调温工作台以及检查装置_东京毅力科创株式会社_202480063591.9
    本公开的调温工作台具备：顶板，将被处理体载置于表面；加热部，配置于所述顶板的背面或内部；热交换部，与所述顶板或所述加热部相邻地配置，在内部具有供气体流通的流通空间；以及供气部，向所述流通空间供给所述气体。所述热交换部具有：凸部群区域，通过具...
    2026-05-08
  • 拾取系统、接合装置、分选装置以及控制方法
    拾取系统、接合装置、分选装置以及控制方法_松下知识产权经营株式会社_202480063732.7
    一种拾取系统(100)，具备：拾取单元(14)，包括拾取吸嘴(14a)和通过使拾取吸嘴(14a)振动从而产生超声波的超声波产生部(152a)；负压产生部(153)；用于使拾取单元(14)旋转的旋转移动机构(15b)；以及控制部(101)。在...
    2026-05-08
  • 清洗装置
    清洗装置_株式会社考恩斯特_202480064170.8
    本发明一实施例的清洗装置可以包括：摄像单元，拍摄包括晶圆或掩模在内的平板基板的表面；激光单元，当通过所述摄像单元确认到附着有异物的目标位置时，向所述目标位置照射激光束；清洗单元，朝向所述目标位置及其周边部喷射气体；以及抽吸(suction)...
    2026-05-08
  • 基板处理装置和基板处理方法
    基板处理装置和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480064773.8
    加载互锁模块具有：多个工作台区域，其配置于中心位置的周围；旋转支承部，其具有支承基板的多个固定支承销，构成为能够在多个工作台区域的上方以中心位置为旋转轴线旋转；以及驱动机构，其构成为能够在旋转方向上驱动旋转支承部。在加载互锁模块与第1输送模...
    2026-05-08
  • 制造用于微电子学、光学或光电子学的复合结构的方法
    制造用于微电子学、光学或光电子学的复合结构的方法_索泰克公司_202480064129.0
    本发明涉及制造复合结构的方法，该方法包括：(a)形成包括载体衬底(3)的临时衬底(3')，其中由第一材料制成的多个片块部分(P'1‑P'3)或感兴趣的层(20)布置在载体衬底(3)上；(b)形成可拆卸界面(5)，其布置在载体衬底(3)与片块...
    2026-05-08
  • 陶瓷接合体及静电卡盘装置
    陶瓷接合体及静电卡盘装置_住友大阪水泥股份有限公司_202480063879.6
    一种陶瓷接合体，其具备：第1陶瓷板及第2陶瓷板，沿着厚度方向层叠；以及带状的加热器部，位于第1陶瓷板及第2陶瓷板之间，在第2陶瓷板设置：多个槽部，容纳有加热器部且沿着宽度方向排列；及壁部，位于槽部彼此之间且相对于槽部的底壁面突出，壁部的前端...
    2026-05-08
  • 半导体元件之晶粒背侧轮廓
    半导体元件之晶粒背侧轮廓_应用材料公司_202480064242.9
    本案公开内容的实施方式包括在半导体元件中形成背侧轮廓的设备和方法，所述半导体元件包括晶粒至晶片的键合。所述方法通常包括：移除包括在多个晶粒中的基板层的一部分，所述多个晶粒排列在支撑结构中所包括的绝缘层上并且键合所述绝缘层，其中所述多个晶粒在...
    2026-05-08
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