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  • 本发明提供一种蛋白数据库搜索与从头测序模型及其训练方法,模型包括肽段序列编码器、质谱图编码器、联合模态打分器和肽段长度感知解码器,方法包括利用训练集对模型进行多轮训练,每个样本包括质谱数据和真实肽段序列。每轮根据质谱数据搜索候选肽段集合;利...
  • 本发明涉及一种基于领域自适应和分层微调的空间解析单细胞状态建模方法及系统,方法包括:获取多重免疫荧光图像及单细胞分割掩码,构建无标签数据集;构建由ViT编码器和线性解码器组成的掩码自编码器,在图像前添加分类令牌,基于无标签数据集对掩码自编码...
  • 本发明公开了一种基于RNA速率的细胞动力学建模与基因调控网络构建方法和系统,方法包括:获取单细胞RNA测序数据,根据基因的未剪接丰度和剪接丰度构建基因表达矩阵;基于常微分方程构建转录动力学模型,并将转录动力学参数建模为关于未剪接丰度向量、剪...
  • 本发明公开了一种基于CXL的测试板与存储模组高低温测试连接结构,应用在内存条高低温测试技术领域;包括整体机身,所述整体机身的内部开设有高低温腔体,所述整体机身的一侧设置有测试主板,所述高低温腔体内部的一侧以及测试主板靠近整体机身的一侧均安装...
  • 本申请实施例提供了一种内存测试方法及电子设备。该内存测试方法包括:当待测试设备处于工厂测试模式时,将目标签名文件和内存测试脚本存储于目标测试分区内;基于预设组合键的触发状态,在随机存取存储器中写入或删除启动测试标志位;在基本输入输出系统开机...
  • 本申请实施例提供了一种闪存测试方法、电子设备以及存储介质,方法包括:确定异常供电场景和异常操作命令;响应于根据所述异常供电场景对待测闪存进行供电,根据所述异常操作命令对所述待测闪存进行操作;响应于所述异常供电场景结束,对所述待测闪存进行数据...
  • 本发明提供了一种基于深度强化学习的固态硬盘读干扰补偿方法及装置,通过获取读操作事件流记录;结合物理块拓扑结构与历史补偿记录构建读干扰传播影响图谱,生成读干扰演化状态表征序列;将其输入循环状态推断网络,生成干扰传播状态隐含表征;再输入动作策略...
  • 本发明涉及计算机存储技术领域,公开了一种基于CNN的存储介质多模态电压预测方法、装置、计算机可读存储介质及SSD设备。本发明通过建立反映P/E次数、数据保持时间、温度和读目标位置等多个关键参数与读电压间非线性耦合关系的非线性耦合回归模型,拟...
  • 本发明提供一种存储器管理方法及存储装置。所述方法包括:响应于目标操作事件,确定目标字线位于多个管理区中的目标管理区,其中所述多个管理区根据各自的电气特性垂直分布于存储器模块中,所述多个管理区包括键合界面区、键合过渡区、蚀刻变异区及中心稳定区...
  • 本发明公开了一种AI驱动的3D NAND闪存读电压自适应优化方法及系统,涉及数据存储技术领域,包括:特征感知与预测阶段,采集3D NAND闪存存储单元的多维特征向量,输入轻量化AI预测模型,输出预测电压区间、偏移方向概率及预测置信度;自适应...
  • 本申请提出一种数据搬移方法、控制器、介质及产品,应用于电子芯片技术领域,方法包括:获取多组闪存样片;分别对多组所述闪存样片进行对应次数的擦写操作,得到擦写操作后的多组所述闪存样片;将多组所述闪存样片在预设温度下放置,并在预设周期下对多组所述...
  • 本发明提供一种基于卷积运算的闪存水平方向多维权重控制电路及方法、闪存存储器,包括:字线复用传送模块,与闪存阵列模块相连,生成字线选择信号以选择字线并对选择的块进行水平方向的电压施加;块选择模块,与字线复用传送模块相连,生成块通路控制信号以控...
  • 本发明提供一种光波导与异质结二维材料集成的非易失存储结构及应用方法,涉及光电子集成技术领域,通过将异质结二维材料层设置于所述光波导层的倏逝场区域内,使通过正电极层和负电极层对异质结二维材料层施加电场脉冲时,异质结二维材料层可以产生多种非易失...
  • 本发明属于模拟集成电路及储存器技术领域,涉及一种多值RRAM读写电路及其读写方法,多值RRAM读写电路包括RRAM控制单元、低压差线性稳压器、标准电阻单元、漏电流采样单元、读写转换单元、CMOS开关以及运算放大器,低压差线性稳压器用于为RR...
  • 一种基于RRAM的存储单元及非易失存储驱动电路,由基于RRAM的14T2R‑NVSRAM存储单元、非易失存储驱动电路组成存储。14T2R‑NVSRAM存储单元包括SRAM模块、RRAM模块,SRAM模块支持数据的快速读写,与传统6T‑SRA...
  • 本发明公开了一种避免PIN开关大功率切换损伤的星载反熔丝FPGA加固保护方法,包括如下步骤:通过SRAM型FPGA产生“原始控制信号”,“原始控制信号”的脉冲宽度至少为开关切换最大时延△t1、射频传输及稳定时间△t2、设计裕度△t3和有效切...
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域。该半导体结构包括存储单元;存储单元包括铁电存储模块和读模块。铁电存储模块包括写晶体管和铁电电容器。读模块包括读晶体管。写晶体管包括:与写字线连接的第一栅极,以及与写位线连接...
  • 本发明公开一种DDR5温度‑电压协同自适应栅极驱动调控方法、设备及介质,涉及栅极驱动调控技术领域,包括:实时获取内存芯片的当前工作温度和当前工作电压;将当前工作温度和当前工作电压作为联合输入键值,查询预定义的驱动强度查找表,映射得到对应的驱...
  • 本申请实施例提供一种语音端点的检测方法、存储介质及程序产品。该方法包括:获取待检测的语音信号,并对语音信号进行分帧加窗处理,得到分帧加窗信号,语音信号包括噪声;对分帧加窗信号进行第一非线性滤波处理和第二非线性滤波处理,得到第一增强信号和第二...
  • 本发明涉及一种基于语音时频特征融合的TMD检测模型、构建方法及系统,包括:时序特征提取模块,其用于根据MFCC特征提取语音信号的时序特征;频域全局特征嵌入模块,其用于将语音信号的频域中的与TMD相关的声学特征嵌入到时序特征中;分类模块,其用...
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