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  • 本申请实施例提供了一种全固态电池用正极及其制备方法和全固态电池。以质量份计,该全固态电池用正极包括:60~88份的活性物质;10~30份的固体电解质;1~5份的导电剂;1~5份的的粘结剂;其中,活性物质包括至少两种不同粒径的颗粒,固体电解质...
  • 本申请实施例公开了一种正极片及其制备方法、电池,属于电池技术领域,正极片包括正极集流体、导热层和正极活性层。导热层设置于正极集流体的至少一侧,导热层包括第一导电剂和导热粘结剂,导热粘结剂包括氮化硼修饰的聚丙烯酸。正极活性层设置于导热层背离正...
  • 本发明公开了一种负极片及电池,涉及电池制备技术领域。该负极片具体包括负极材料,所述负极片包含负极材料,所述负极材料包括MOF衍生材料,所述MOF衍生材料在所述负极材料中的质量占比为1%‑5%,且所述MOF衍生材料的比表面积为200.0m²/...
  • 本申请涉及电极组件和制造电极组件的方法。电极组件包括:电极板,包括其中在复合基板的两侧涂覆活性物质的涂覆部分和其中在复合基板上不提供活性物质的未涂覆部分;导体,联接至未涂覆部分;以及绝缘层,覆盖未涂覆部分、涂覆部分和导体中的每一个的至少一部...
  • 本发明属于电池技术领域,公开了一种改性水系锌电池负极及制备方法。具体步骤如下:S1:将七水合硫酸锌加水溶解,得硫酸锌溶液;S2:将磷酸吡哆醛加水溶解,得磷酸吡哆醛溶液;将预处理的锌箔充分浸泡在磷酸吡哆醛溶液中,记为P@Z,浸泡完成后冲洗干燥...
  • 本发明属于水系锌离子储能器件领域,具体涉及一种基于有机分子吸附层的锌阳极及其制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:在锌电极表面均匀涂覆有机分子的溶液,真空干燥,得到所述锌阳极;所述有机分子为双硫腙、对苯二腈、丁二酮肟、邻菲罗啉中的任意一...
  • 本发明涉及锌负极技术领域,尤其涉及一种具有环化聚丙烯腈自组装保护层的锌粉复合极片及其制备方法和应用。制备方法,包括如下步骤:将环化聚丙烯腈分散在水中,然后加入锌粉,搅拌2~5小时后静置自组装,收集深色沉淀,真空干燥后得到具有环化聚丙烯腈自组...
  • 本申请属于电池材料技术领域,具体涉及一种正极浆料及其制备方法。本申请通过精准引入适配磷酸铁锂体系的补锂剂,可针对性补充电池首次循环中因SEI膜形成导致的永久性锂源损失,从根源上提升电池首次库伦效率,有效弥补传统干法工艺中锂耗过高的核心短板;...
  • 本发明涉及电池领域制造领域,具体的说是一种共氧化碳包覆氟代磷酸钒钠复合正极材料及其制备方法以及钠离子电池复合正极,制备方法包括,将碳源加入到混酸中进行反应,然后加入KMnO4 进行水浴反应,最后加入过氧化氢溶液进行共氧化反应,反应后洗涤干燥...
  • 本发明公开了一种具有PDMS@MOF复合涂层的金属锌负极及其制备方法,属于水系锌离子电池技术领域。其技术方案为:该负极包括金属锌负极和设置在金属锌负极表面的PDMS@MOF复合涂层;PDMS@MOF复合涂层为聚二甲基硅氧烷PDMS渗透并包覆...
  • 本发明涉及一种带电粒子束偏转装置,包括第一电极与第二电极;第一电极上开设有第一通孔,第二电极上开设有第二通孔。第一通孔的中心轴为第一轴,第二通孔的中心轴为第二轴,且第一轴与第二轴位于同一平面并呈一定夹角。第一电极与第二电极间隔设置,两者之间...
  • 本发明涉及质谱分析技术领域,特别涉及一种磁‑电耦合聚焦的离子传输装置。包括前端差分电极、圆形真空腔体、后端差分电极、射频多极杆、引导磁环及聚焦磁环,前端差分电极和后端差分电极分别与圆形真空腔体两端开口相连;引导磁环和聚焦磁环沿轴向设置于圆形...
  • 本发明涉及质谱分析仪器技术领域,特别涉及一种基于光电离源的氧原子诱导解离装置和方法。该装置包括进样毛细管、电离源腔体、推斥电极、真空紫外氘灯、传输电极组及差分电极;推斥电极、传输电极组和差分电极依次平行间隔设置于电离源腔体内,真空紫外氘灯穿...
  • 本发明公开了一种质谱仪及其密封移送一体化装置,其中,该装置包括:与进样室的进样口相对应的托举机构,所述托举机构上承载有一可分离的、用于盛装检测芯片的芯片载具;以及,承载于主真空室的平移装置,所述平移装置包括:滑动式装配于所述主真空室的载料平...
  • 本发明公开了一种光电倍增管的封装装置及方法,具体涉及光电倍增管封装技术领域,包括基座,所述基座上固定安装有光电倍增核心组件,所述光电倍增核心组件的引脚穿过基座,所述基座的顶端设有玻璃罩窗口,所述光电倍增核心组件真空封装在玻璃罩窗口和基座之间...
  • 本发明涉及晶圆处理设备技术领域,尤其涉及一种用于等离子体处理的反应腔室及半导体处理设备,包括介质窗、感应线圈和活动屏蔽件;介质窗设于处理室的顶部;感应线圈环绕设于介质窗的外侧;活动屏蔽件环绕设于介质窗和感应线圈之间,并能够沿介质窗的轴向升降...
  • 本申请提供了一种刻蚀设备和检测方法,涉及半导体刻蚀技术领域,该刻蚀设备包括:刻蚀结构、检测结构和校准结构。刻蚀结构用于晶圆的刻蚀,包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环。检测结构包括光源、第一透镜和处理模块,光源输出检测光线,第一透镜将检测光线传...
  • 本申请提供了一种具有检测系统的刻蚀设备和检测方法,涉及半导体刻蚀技术领域,该刻蚀设备包括:刻蚀结构、检测系统和调整结构,刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环,检测系统位于刻蚀结构,包括第一极板、第二极板和电容检测模块,第一极板位于聚焦环...
  • 本申请提供了一种具有成像系统的刻蚀设备和检测方法,涉及半导体刻蚀技术领域,该刻蚀设备包括:刻蚀结构、成像系统和校准结构,刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环,成像结构位于盖环,用于获取聚焦环的轮廓图像,并基于聚焦环的轮廓图像获取聚焦环相...
  • 本申请提供了一种聚焦环刻蚀补偿的刻蚀设备和补偿方法,涉及半导体刻蚀技术领域,该刻蚀设备包括:刻蚀结构、检测结构和调整结构。刻蚀结构包括基座、静电卡盘、聚焦环和盖环。检测结构包括光源、第一透镜、第二透镜、检测模组,光源输出检测光线,第一透镜将...
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