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最新专利技术
  • 一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉
    一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉_广东晶智光电科技有限公司_202610135146.X
    本发明属于半导体材料领域，具体公开了一种大尺寸碲化镉籽晶的扩径方法、一种单晶加热炉。所述扩径方法包括：将碲化镉籽晶装入石英管，碲化镉多晶围置于籽晶旁，密封石英管并保持二者位置固定；加热石英管使籽晶边缘、多晶全部融化，待单晶炉冷却至室温后，破...
    2026-05-03
  • 一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质
    一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346713.6
    本公开提供了一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质，方法包括根据熔体表面及晶棒生长界面的图像数据，确定光圈特征和热场部件在熔体表面的倒影特征；基于光圈特征和预设光圈阈值，在光圈特征和倒影特征中确定目标参数；基于目标参数调整拉晶速度和/或...
    2026-05-03
  • 一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉
    一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610346716.X
    本公开提供了一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉，该方法应用于晶棒的放肩阶段和转肩阶段，包括：在所述转肩阶段，根据晶棒生长界面的图像数据，提取晶棒的当前直径值以及反映固液界面生长状态的光圈特征值；根据当前直径值在时间维度上的直径变化量，...
    2026-05-03
  • 一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法
    一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法_芜湖予秦半导体科技有限公司_202311622225.6
    本发明公开了一种大尺寸碳化硅晶体制备装置及方法，具体涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括提拉组件，所述提拉组件包括固定盒，且固定盒的内部转动安装有升降齿轮，所述升降齿轮的一侧啮合有升降齿条，且升降齿条的底部固定连接有固定架，所述固定盒的内部安装...
    2026-05-03
  • 一种连续碳化硅材料制造设备传输系统
    一种连续碳化硅材料制造设备传输系统_苏州精材半导体科技有限公司_202512047743.5
    本发明涉及一种连续碳化硅材料制造设备传输系统，包括：底座，顶部设有装配腔；转动件，一部分设于所述装配腔内，转动件可转动地设于底座上；转动件的顶部具有可供放置反应箱的处理工位，多个处理工位围绕转动件的轴线均匀布设；多个处理模块，设于所述转动件...
    2026-05-03
  • 一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法
    一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法_苏州清煜半导体科技有限公司_202610095820.6
    本发明属于PVT法制晶体领域，本发明提供了一种基于机器学习优化PVT法SiC晶体生长的方法，包括：通过对SiC晶体在多个历史生长周期内发生生长缺陷时的异常数据进行整合，得到缺陷对照表，通过当前周期内监测SiC晶体生长的数据进行预测分析，找到...
    2026-05-03
  • 一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法
    一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法_苏州清煜半导体科技有限公司_202610096183.4
    本发明公开了一种提高PVT法碳化硅单晶生长质量的方法，包括：原料优化、温度精细调控、气压精准管控、籽晶处理；其中，生长室内的轴向温度梯度和温度波动的异常都会导致晶体质量下降，针对温度精细调控，通过对轴向温度梯度和温度波动进行分析，获取生长室...
    2026-05-03
  • 一种碳化硅晶圆及其制备方法
    一种碳化硅晶圆及其制备方法_成都中微晶体材料有限公司_202610137701.2
    本发明公开了一种碳化硅晶圆及其制备方法，涉及半导体技术领域。碳化硅晶圆的制备包括原料与籽晶准备阶段和晶体生长阶段；其中，原料与籽晶准备阶段采用激光将Ti箔高温熔化，将碳化硅籽晶焊接在石墨基底表面，焊接强度远高于传统胶粘，解决了石墨/SiC物...
    2026-05-03
  • 一种利用空间限域效应制备高致密度柱状黑磷晶体的方法
    一种利用空间限域效应制备高致密度柱状黑磷晶体的方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202511919637.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种利用空间限域效应制备高致密度柱状黑磷晶体的方法，包括以下步骤：首先，将红磷、金属锡、锡碘化合物以一定比例混合后，得到混合物原料；将混合物原料置于带有特定限域生长设计的反应容器中，并对反应容器进行真空...
    2026-05-03
  • 一种Sn掺杂CdS超晶格微米锥及生长方法
    一种Sn掺杂CdS超晶格微米锥及生长方法_中北大学_202610268538.3
    本发明涉及半导体微结构制备技术领域，具体是一种Sn掺杂CdS超晶格微米锥及生长方法，石英管中气流的不均匀性，形成了Sn微米锥形结构，将气体流量由30 sccm/h缓降至15 sccm/h，利用石英管内气流不均形成Sn微米锥。高温下前驱体还原...
    2026-05-03
  • 一种混合式快速气相外延生长系统
    一种混合式快速气相外延生长系统_苏州觉知科技有限公司_202512041067.0
    本发明涉及III‑V族化合物半导体外延生长技术领域，尤其是一种混合式快速气相外延生长系统及方法。该系统包括主反应腔模块和外置发生装置模块，其中主反应腔模块采用MOCVD结构，用于承载衬底并完成III‑V族多层外延生长；外置发生装置模块设置于...
    2026-05-03
  • 一种外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备
    一种外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备_江苏第三代半导体研究院有限公司_202610044427.4
    本发明提供了一种基于半导体生长设备的外延片的制备方法、外延片、半导体器件及半导体生长设备，该方法包括：将衬底放置于反应室内；控制第一喷口与第二喷口分别向衬底表面喷射铝源与氮源，并控制可变喷口向衬底表面喷射氮源以调整反应室中心区域中铝源与氮源...
    2026-05-03
  • 一种气相外延生长温流协同控制方法及系统
    一种气相外延生长温流协同控制方法及系统_西安唐晶量子科技有限公司_202610409013.7
    本发明属于晶体生长控制技术领域，具体涉及一种气相外延生长温流协同控制方法及系统，其方法包括：实时采集反应室各温区的加热功率、实时温度及工艺气体流量，经时序对齐与滤波后，基于加热功率与实时温度构建表征晶圆局部几何形变趋势的等效热耦合间隙因子；...
    2026-05-03
  • 一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法
    一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法_北京大学_202610040056.2
    本发明公开了一种快速实现晶格弛豫的III族氮化物薄膜的制备方法，属于半导体薄膜生长技术领域。本发明通过调整多周期超晶格中两种III族氮化物的晶格常数差值和厚度，控制应力缓慢积累，结合生长条件控制，缓慢积累的压应力导致超晶格采用SK生长，释放...
    2026-05-03
  • 单晶炉
    单晶炉_青海晶科能源有限公司_202610179055.6
    本申请提供了一种单晶炉，炉体设置有连通其内腔的导气孔，坩埚设置于炉体的内腔中，保温筒设置于炉体的内腔中，且保温筒至少围绕在坩埚的至少一部分外周区域，隔热筒设置于保温筒的内腔中，且隔热筒围绕在坩埚的至少一部分外周区域，隔热筒和保温筒之间形成导...
    2026-05-03
  • 一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法
    一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610386278.X
    本申请公开了一种低液面导流供料的氧化镓晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法包括：在坩埚内放置初始量的氧化镓原料，使得原料熔化后熔体液面恰好与贯穿坩埚底部的熔体导流装置的导流通道入口齐平；对坩埚进行加热使原料熔化，并维持熔体液面与导流通...
    2026-05-03
  • 碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备
    碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511950321.2
    本申请涉及一种碳化硅外延修正装置与碳化硅外延设备，包括处理腔室，处理腔室内通入有刻蚀气流；设置于处理腔室内的承载盘，用于放置待修正晶圆并带动待修正晶圆旋转，以通过刻蚀气流对待修正晶圆的外延层的膜层厚度进行修正；设置于承载盘远离待修正晶圆的一...
    2026-05-03
  • 氮化镓单晶基板及其制造方法
    氮化镓单晶基板及其制造方法_住友化学株式会社_202511379902.5
    本发明提供实现了缘部的应力降低的氮化镓单晶基板的制造技术。氮化镓单晶基板是圆形的基板，由单晶的氮化镓构成，具有通过用荧光显微镜观察主面而观察到明暗条纹状的同心圆状的条纹，其中，基板的圆形的中心即基板中心配置于从条纹的同心圆的中心即条纹中心偏...
    2026-05-03
  • 引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法
    引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法_北京邮电大学_202511801882.6
    本发明提供一种引入激光表层处理的硅上砷化镓材料异质外延生长的方法。该方法包括：在硅衬底上生长低晶化程度的砷化镓低温层，采用激光表层处理的方式将砷化镓低温层的表层晶化；在表层晶化处理后的砷化镓低温层上生长砷化镓中温层，采用激光表层处理的方式将...
    2026-05-03
  • 一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法
    一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法_西安电子科技大学_202610373256.X
    本发明涉及热电材料技术领域，具体涉及一种二维热电AgSbSe2晶体及其制备方法。该二维热电AgSbSe2晶体的制备方法，包括：将AgI粉和Sb粉混合后得到的混合前驱体放置于助熔盐基质层上；将等离子清洗后的云母衬底倒扣于混合前驱体上方，云母衬...
    2026-05-03
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