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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 本实用新型公开一种带有限位接近开关的卸料门,涉及卸料门领域。该带有限位接近开关的卸料门包括卸料门本体,卸料门本体侧面设置驱动单元和限位开关单元,限位开关单元与驱动单元相连。限位开关单元含固定在卸料门本体上的支架、等距设置在支架上的多个接近开...
  • 本发明涉及一种碳化硅晶须的制备方法,包括如下步骤:在空心二氧化硅球体的外表面生长有机碳层,得到所述碳硅空心球前体;然后在保护气氛中进行烧结,除碳,得到碳化硅团簇体;分散所述碳化硅团簇体,得到所述碳化硅晶须。本发明使用有机碳层作为硅碳空心球前...
  • 本申请涉及负极材料领域,提供负极材料及其制备方法、锂离子电池,其中,负极材料包括聚集体,聚集体包括活性物质和碳材料,其中,负极材料的孔隙率≤10%,且负极材料中的目标区域比例D≥15%,其中,目标区域比例D通过以下的测试方法获得:将负极材料...
  • 本实用新型属于碳中和降碳封存装置技术领域,公开了一种碳中和降碳封存装置,包括底座,底座的顶端依次安装有第一封存组件、第二封存组件和分流组件,第一封存组件包括第一收集箱、第一进气管道、若干蜂窝吸附板、第一连接管道,第一收集箱安装在底座顶端的一...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种快恢复二极管及制造方法,该快恢复二极管包括:衬底、外延层、有源区和环绕有源区的终端区;外延层设置在衬底之上;有源区和终端区设置在外延层上;终端区包括:正面P型过渡区和至少两个正面P型场限环;正面P型过渡...
  • 本公开提供一种晶体管、电控鼓和打印机。该晶体管中,有源层包括沿第一源漏极指向第二源漏极的方向上依次设置的第一重掺杂区、第一高阻区、与栅极重叠设置的沟道区、第二高阻区、以及第二重掺杂区,第一重掺杂区与第一源漏极电接触、第二重掺杂区与第二源漏极...
  • 本发明涉及图像处理技术领域,更具体地,本发明涉及一种基于图像处理的肥料颗粒度检测方法及系统,包括:识别图像中的簇状区域,所述簇状区域为面积大于预设面积阈值且凸包面积比小于预设非凸性阈值的连通域,提取所述簇状区域的边缘轮廓,并基于所述边缘轮廓...
  • 本发明公开了基于多维度参数不确定度分析的大载荷划痕仪校准方法,涉及材料性能检测设备校准技术领域,该方法的具体步骤为:首先搭建含法向力、水平位移、摩擦力、压头角度校准模块的一体化系统,并配备相关数据设备;接着做好校准前准备,安装部件、固定材料...
  • 本发明涉及工程机械设备技术领域,具体为一种配合旋挖钻机的硬岩钻进可拆卸钻头,包括钻头连接装置主体,所述钻头主体的内部设置有钻头主体,所述钻头连接装置主体的外部设置有方形壳体,所述钻头连接装置主体的内部左端设置有舒缓防护机构,所述舒缓防护机构...
  • 本发明公开了一种基于社交传播力感知的差异化隐私保护方法及系统,该方法包括如下步骤:S1:构建社交图并进行图预处理与社区划分,得到社区标签;S2:基于社区标签,计算节点的传播度、影响力和传播权重;S3:根据综合风险评分对节点进行分组,并为各组...
  • 本发明公开了一种改性硼酸包覆三元正极材料的制备方法,涉及锂电池研发的技术领域。将镍钴锰酸锂三元正极材料和硼酸按照一定摩尔比进行称量;置于球磨罐,在行星球磨机上进行球磨混料;取出,置于马弗炉中进行低温煅烧;粉碎,采用300目筛网进行过筛得到硼...
  • 本发明公开了一种半导体器件及制备方法,属于半导体技术领域;包括:衬底、N型漂移层、N型源区、电流扩展层、P型屏蔽层、P型基区、重掺杂P型区、源极、栅极、漏极、栅极氧化层、源极电极;在双沟槽MOSFET的源极两侧集成肖特基二极管或沟道二极管。...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件的制造方法,在衬底表面上形成至少一个鳍形结构,鳍形结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层;从沿预设水平方向的至少一侧对鳍形结构下方的衬底进行刻蚀,以在鳍形结构的下方形成凹槽;在凹槽中填充形成绝缘部;去除...
  • 本发明涉及非甲烷总烃分析系统及其进样控制方法和分析方法,包括单片机、检测气路和进样控制电路;第一检测气路包括沿进气方向依次设置的TDLAS检测模块、流量调节阀、第一气阻;第二检测气路由TDLAS检测模块的出气端引出,包括沿进气方向依次设置的...
  • 本公开涉及改进的功率器件的设计和制造。本公开描述了一种器件及其形成方法。一种包括至少部分形成在碳化硅(SiC)基板内的单位单元的器件,所述单位单元包括:漂移区,其形成在SiC基板中且具有第一导电类型;闸极导体;闸极绝缘膜,其设置于闸极导体与...
  • 本发明公开了一种结合底栖有孔虫同位素分析的冷泉甲烷活动分析方法,本发明涉及地球科学技术领域,从冷泉活动区域采集并制备沉积物柱样,覆盖不同活动时期;从沉积物柱状样中精细分离出底栖有孔虫个体,并进行底栖有孔虫处理,消除次生影响;利用质谱仪测定底...
  • 本发明涉及光轴校正技术领域,公开了一种红外与微光像增强器物镜光轴平行性校正方法,包括如下步骤:S1、对高精度视场仪和自准直前置镜的光轴平行性进行校正;S2、准备高精度产品转接支架和反射镜,调节高精度产品转接支架的位置;S3、对微光像增强器物...
  • 本申请公开了一种相机与雷达的联合标定方法、电子设备及存储介质,包括以下步骤:基于标定板采集样本数据,样本数据包括基于相机采集的图像数据、以及基于雷达采集的点云数据;基于圆孔检测策略和棋盘格检测策略,对样本数据进行检测,以获得标定板中的点云‑...
  • 本公开提供了一种图案渲染方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括在检测到图案渲染事件的情况下,获取所述图案的姿态信息,在将所述图案以所述姿态信息指示的姿态渲染在三维版片上的情况下,判断渲染后的图案是否位于所述三维版片的版片边缘,若位于所述版...
  • 本发明公开了一种基于地理信息分层的国有资产监管方法,涉及监管管理技术领域,包括:基于防洪堤坝的堤防中心线生成数字高程模型,基于数字高程模型生成高程函数;基于高程函数计算中间标高,基于中间标高生成堤肩候选台阶段;基于堤肩候选台阶段生成平面坐标...
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