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最新专利技术
  • 蒸发源结构、蒸镀装置和蒸发源的控制方法
    蒸发源结构、蒸镀装置和蒸发源的控制方法_京东方科技集团股份有限公司_202610385922.1
    本发明提供一种蒸发源结构、蒸镀装置和蒸发源的控制方法，蒸发源结构包括至少一个蒸发单元，所述蒸发单元包括：第一坩埚和第二坩埚，所述第一坩埚和所述第二坩埚内容纳相同的蒸镀材料；喷嘴组件，包括罩设于所述第一坩埚和所述第二坩埚上方的盖体，以及设置于...
    2026-05-03
  • 一种蒸镀装置
    一种蒸镀装置_京东方科技集团股份有限公司_202610387164.7
    本申请涉及蒸镀领域，公开一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括磁体总成、吸盘总成和驱动机构。磁体总成包括磁体组件，吸盘总成包括静电吸盘，磁体组件和静电吸盘沿重力方向间隔设置；磁体组件与吸盘总成之间连接有弹性支撑结构；驱动机构与磁体总成传动连接，用于驱...
    2026-05-03
  • 一种紫外光电探测器的制备系统及方法
    一种紫外光电探测器的制备系统及方法_蔚云光电(南京)有限公司_202610080167.6
    本发明涉及半导体光电探测器制造技术领域，特别是一种紫外光电探测器的制备系统及方法，包括沉积单元，沉积单元包括，Ga2O3靶托，其设于真空腔内；Si衬底台，其设于真空腔内，并位于Ga2O3靶托的沉积路径上；激光器，其光路指向Ga2O3靶托的表...
    2026-05-03
  • 真空镀膜设备
    真空镀膜设备_广东越好电子装备有限公司_202512008891.6
    本申请公开一种真空镀膜设备。真空镀膜设备包括镀膜腔室、设置在所述镀膜腔室内部的转运装置和镀膜源，通过磁力耦合无接触方式驱动转运装置移动，并且在宽度方向两侧分别配置定位导向结构和平面接触配合，通过定位导向结构能够实现精准定位和导向，以及平面接...
    2026-05-03
  • 一种可见光-红外兼容隐身ITO薄膜及其制备方法
    一种可见光-红外兼容隐身ITO薄膜及其制备方法_桂林电子科技大学_202511971782.8
    本发明公开一种可见光‑红外兼容隐身ITO薄膜及其制备方法，涉及ITO透明导电薄膜材料技术领域。本发明的制备方法包括：(1)初始段溅射；(2)过渡段溅射；(3)终止段溅射；(4)分段退火处理。本发明通过动态调控氢氩混合气氛与分段退火工艺，实现...
    2026-05-03
  • 薄膜沉积系统、薄膜沉积控制方法
    薄膜沉积系统、薄膜沉积控制方法_苏州迈为科技股份有限公司_202610011738.0
    本发明涉及一种薄膜沉积系统、薄膜沉积控制方法，涉及真空镀膜技术领域，其中，离子源装置以及磁控阴极位于载板的同一侧，且在第一方向上排布，且离子源装置的开口朝向磁控阴极，离子源装置产生的第一等离子体与磁控阴极产生的第二等离子体进行耦合，产生耦合...
    2026-05-03
  • 一种用于玻璃基板的高磁性复合膜层及其制备方法和应用
    一种用于玻璃基板的高磁性复合膜层及其制备方法和应用_哈工大苏州研究院_202610015585.7
    本发明公开了一种用于玻璃基板的高磁性复合膜层及其制备方法和应用，属于功能性涂层材料与表面工程技术领域。本发明解决了磁性复合膜层与玻璃基板结合力低、内应力强，无法实现较大厚度和高饱和磁化强度的问题。本发明采用磁控溅射技术在玻璃基底表面依次沉积...
    2026-05-03
  • 一种磁控溅射制备准晶薄膜的装置和方法
    一种磁控溅射制备准晶薄膜的装置和方法_内蒙古工业大学_202610072389.3
    本发明公开一种磁控溅射制备准晶薄膜的装置和方法，装置包括密闭溅射腔体、磁控溅射机构、准晶薄膜形成机构、工作气路和退火加热机构；磁控溅射机构和准晶薄膜形成机构分别安装在密闭溅射腔体内部的底壁和顶壁上；工作气路的流体出口端与密闭溅射腔体的进气口...
    2026-05-03
  • 一种Mo/Si一体化旋转靶材及其制备方法与应用
    一种Mo/Si一体化旋转靶材及其制备方法与应用_绍兴芯链半导体科技有限公司_202610123362.2
    本发明涉及一种Mo/Si一体化旋转靶材及其制备方法与应用，该靶材包括 : 金属背管，其被配置为支撑靶材；第一区域，其被配置为为膜层沉积提供Mo原子源；第二区域，其被配置为为膜层沉积提供Si原子源；以及冶金结合过渡层，其被配置为实现第一区域和...
    2026-05-03
  • 一种磁控溅射阴极靶及镀膜装置
    一种磁控溅射阴极靶及镀膜装置_北京市科学技术研究院_202610193340.3
    本发明公开了一种磁控溅射阴极靶及镀膜装置，其中阴极靶包括阴极套和阴极柱，阴极套为筒状，阴极套的内侧壁上设有靶材层；阴极柱设置在阴极套内，且阴极柱沿阴极套的轴线设置，且阴极柱由阴极套的一端延伸至另一端；阴极柱内为中空的，阴极柱的外侧壁上设有靶...
    2026-05-03
  • 基于等离子体活化的动力电池极卷材复合镀膜系统及方法
    基于等离子体活化的动力电池极卷材复合镀膜系统及方法_陕西西部新材科技有限公司_202610404953.7
    本发明公开了一种基于等离子体活化的动力电池极卷材复合镀膜系统及方法，涉及动力电池极材制造技术领域；由放卷辊、张力传感器及速度调节器组成，以恒定张力和速度输送极卷材；为密封真空腔体，设电极板、气体导入管及真空抽气口，内置探测器监测等离子体状态...
    2026-05-03
  • 负载腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法
    负载腔室、半导体工艺设备及半导体工艺方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411495705.5
    本申请公开了一种用于半导体工艺设备的负载腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种负载腔室，包括：第一腔体、承载装置、抽真空装置和防护装置；所述承载装置具有设于所述第一腔体内的承载端，所述承载端用于承载晶圆；所述抽真空装置的抽吸端与所述第一...
    2026-05-03
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_光驰科技(上海)有限公司_202411513098.0
    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种真空镀膜设备。真空镀膜设备包括容置组件、第二装载机构、第三装载机构、第一搬送机构和翻转机构，容置组件包括第一镀膜室和第二镀膜室，第一镀膜室和第二镀膜室选择性连通；第二装载机构设于第一镀膜室内；第三装载机...
    2026-05-03
  • 检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法
    检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202511492308.7
    本发明提供一种检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法，提高膜的检查的检查精度。检查装置具备：基板支承机构，所述基板支承机构支承被送入的基板；吸附机构，所述吸附机构吸附由所述基板支承机构支承的基板；检查机构，所述检查机构对在所述吸附...
    2026-05-03
  • 检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法
    检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202511492351.3
    本发明提供一种检查装置、成膜系统、检查方法及电子器件的制造方法，提高膜的检查的检查精度。检查装置具备：基板支承机构，所述基板支承机构支承被送入的基板；位移机构，所述位移机构使所述基板支承机构位移；吸附机构，所述吸附机构吸附由所述基板支承机构...
    2026-05-03
  • 一种复合集流体增强层制备工艺
    一种复合集流体增强层制备工艺_深圳劲嘉聚能科技有限公司_202610137963.9
    本发明提供的一种复合集流体增强层制备工艺，包括：形成隔离空间，所述隔离空间为真空空间或惰性气体填充空间；在所述隔离空间中，将基膜连续地输送至铝沉积区，在所述铝沉积区内，在所述基膜表面沉积铝金属层；将沉积有所述铝金属层的基膜从所述隔离空间输送...
    2026-05-03
  • 热光学双功能涂层、半导体工件处理装置和温度控制方法
    热光学双功能涂层、半导体工件处理装置和温度控制方法_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202610105964.5
    本发明提供了一种热光学双功能涂层、包括该热光学双功能涂层的半导体工件处理装置和控制半导体工件处理装置内温度的方法。所述热光学双功能涂层包括光学涂层和高温防护层；其中，所述光学涂层包括硅0~1%、氧40~70%、镁0~1%、氯0~30%、铝2...
    2026-05-03
  • 一种SiCf/SiC复合材料包壳预制体CVI沉积装置
    一种SiCf/SiC复合材料包壳预制体CVI沉积装置_核工业第八研究所_202610361293.9
    一种SiCf /SiC复合材料包壳预制体CVI沉积装置，位于沉积炉腔体中，包括边支撑架、中支撑架、固定杆、单边固定架；顶部为边支撑架、中支撑架，边支撑架位于外侧，而中支撑架位于内侧，边支撑架、中支撑架的左右两端分别开有通孔A、通孔B，通过通...
    2026-05-03
  • 一种AlScN薄膜的制备方法及制备系统
    一种AlScN薄膜的制备方法及制备系统_苏州实验室_202610385908.1
    本申请涉及一种AlScN薄膜的制备方法及制备系统，制备方法包括以下步骤：提供基底；对基底进行预处理，在基底上形成铂电极层；将基底放置于反应室，并对反应室进行预处理，使反应室的压力和温度变为预定值；向反应室内通入前驱气体；多次循环前驱气体，在...
    2026-05-03
  • 一种生长小直径氮化硼纳米管的方法及其应用
    一种生长小直径氮化硼纳米管的方法及其应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610144421.4
    本发明公开了一种生长小直径氮化硼纳米管的方法及其应用。所述方法包括：将催化剂施加于衬底表面，并且所述催化剂与硼源空间分离；采用化学气相沉积法使所述催化剂、硼源、氮源与功能性载体发生反应，得到生长在衬底上的氮化硼纳米管。本发明采用催化剂与硼源...
    2026-05-03
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