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最新专利技术
  • 堆叠基板结构及其制造方法
    堆叠基板结构及其制造方法_财团法人工业技术研究院_202510009576.2
    本发明公开一种堆叠基板结构及其制造方法。堆叠基板结构包括第一结构及第二结构。第一结构具有第一接合表面。第一结构包括第一线路结构。第一线路结构包括多个第一导电层以及第一膨胀调变层。多个第一导电层在垂直方向上堆叠。第一膨胀调变层设置于相邻的多个...
    2026-05-09
  • 光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架
    光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架_深圳市正宇兴电子有限公司_202610437778.1
    本发明公开了光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架，涉及引线支架技术领域，光电鼠标集成电路IDIP16L引线支架，包括架体，所述架体上设置有用于芯片定位放置的芯片座，还包括压合组件，设置于架体上用于芯片在芯片座上放置后对芯片压合推动；驱动组...
    2026-05-09
  • 一种Power DFN框架、封装体及制备方法
    一种Power DFN框架、封装体及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202610286131.3
    一种Power DFN框架、封装体及制备方法，涉及半导体技术领域。包括第一金属框架、第二金属框架和金属夹片；第一金属框架顶面设有平整的芯片承载区，侧部设有多个一体成型的第一侧部连筋，底部边缘设有第一半刻蚀区，第一金属框架的端部设有第一引脚。...
    2026-05-09
  • 一种功率器件及其封装方法
    一种功率器件及其封装方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202610234417.7
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率器件及其封装方法。本申请公开的功率器件，包括设置在具有凸台结构的引脚金属框架上的垂直导通型功率芯片和设置在具有至少两层导电通路的中介基板上的平面导通型芯片，平面导通型芯片信号触点通过中介基板底面板的铜...
    2026-05-09
  • 一种T-PAK引线框架及封装结构
    一种T-PAK引线框架及封装结构_宁波德洲精密电子有限公司_202610134900.8
    本发明涉及一种T‑PAK引线框架及封装结构，引线框架包括若干封装单元，封装单元包括漏极端子、源极端子和栅极引脚，源极端子附接有与栅极引脚并列的第一引脚、以及相互并列的第二引脚和第三引脚，各引脚均包括固定段、倾斜段和自由段，第二引脚通过内连筋...
    2026-05-09
  • 一种金属基板封装场效应管
    一种金属基板封装场效应管_赵振涛_202511724441.0
    一种金属基板封装场效应管，包括垂直型场效应管晶圆或IGBT晶圆，场效应管晶圆的底面布设有源极焊盘和栅极焊盘，晶圆的顶面布设有漏极焊盘；还包括金属基板，金属基板顶面上有高低两个凸台；还包括两叠层电路板，两叠层电路板中设置有容纳晶圆和凸台的阶梯...
    2026-05-09
  • 一种金属基电路板封装的垂直型功率器件
    一种金属基电路板封装的垂直型功率器件_摩驱科技(深圳)有限公司_202511620588.5
    一种金属基电路板封装的垂直型功率器件，包括垂直型二极管或场效应管晶圆；还包括金属基板，金属基板顶面上有凸台，凸台的顶面与晶圆顶面相齐；还包括绝缘板层，绝缘板层中设置有适配金属基板上凸台的孔洞，还设置有容纳晶圆的孔洞；绝缘板层粘合在金属基板上...
    2026-05-09
  • 嵌入式芯片封装基板及其制作方法
    嵌入式芯片封装基板及其制作方法_浙江创豪半导体有限公司_202512036462.X
    本发明涉及一种嵌入式芯片封装基板及其制作方法，属于半导体封装技术领域；包括以下工序步骤：S1：腔体基板制备工序：制备带有Cavity结构的封装基板；S2：芯片嵌入工序；S3：盲孔加工工序；S4：图形电镀工序；S5：阻焊层形成工序；S6：芯片...
    2026-05-09
  • 一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构
    一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构_广东芯友微电子科技有限公司_202511896288.X
    本发明公开了一种面板级封装中芯片铝焊盘的处理方法及结构，涉及面板级封装技术领域。所述芯片铝焊盘的处理方法包括以下步骤：选取耐高温膜材料，基于晶圆上铝焊盘的分布，对所述膜材料进行镂空处理，将镂空处理后的膜材料附着于晶圆表面，向覆盖所述膜材料后...
    2026-05-09
  • 一种套刻图形及套刻误差补偿方法
    一种套刻图形及套刻误差补偿方法_重庆芯联微电子有限公司_202511988915.2
    一种套刻图形及套刻误差补偿方法，涉及一种套刻图形，包括：形成于第一结构层的第一套刻标识以及第二套刻标识；第一套刻标识包括多个第一套刻标记，对应第一结构层；第二套刻标识包括至少一个第二套刻标记以及至少一个第三套刻标记，分别对应第二结构层以及第...
    2026-05-09
  • 半导体器件及将功率IC形成为具有磁芯的PMIC的方法
    半导体器件及将功率IC形成为具有磁芯的PMIC的方法_星科金朋管理私人有限公司_202511457089.9
    一种半导体器件具有第一衬底和设置在第一衬底的第一表面之上的第一电气组件。第二电气组件设置在第一衬底的与第一衬底的第一表面相对的第二表面之上。第二电气组件表现出来自磁性材料或磁性线圈的磁引力。第一衬底具有开口，并且第二电气组件具有延伸穿过第一...
    2026-05-09
  • 基于DPC封装基板的多通道多波束双面引出射频微模组
    基于DPC封装基板的多通道多波束双面引出射频微模组_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202610429095.1
    本发明公开了一种基于DPC封装基板的多通道多波束双面引出射频微模组，包括多通道多波束射频单元、电源管理单元和DPC封装管壳；DPC封装管壳的基板侧壁设有金属层，与上下表面的接地金属层共同构成电磁屏蔽腔体；上基板表面集成有电磁带隙结构；下基板...
    2026-05-09
  • 一种隔离芯片及隔离系统
    一种隔离芯片及隔离系统_上海纳矽微电子有限公司_202610072017.0
    本申请公开了一种隔离芯片及隔离系统。隔离芯片包括一次侧框架，二次侧框架，第一管芯和第二管芯。第一管芯与一次侧框架连接第二管芯与二次侧框架连接，一次侧框架和二次侧框架形成三抽头变压器。本申请通过将隔离芯片的框架本体作为三抽头变压器，框架本体具...
    2026-05-09
  • 一种嵌入式水凝胶针肋自适应双层微通道散热器
    一种嵌入式水凝胶针肋自适应双层微通道散热器_哈尔滨工业大学_202610094760.6
    本发明公开了一种嵌入式水凝胶针肋自适应双层微通道散热器，其由底部的基础散热模块、中部的自适应流控模块和顶部的辅助散热模块构成，底部与中部之间形成第一层微通道，中部与顶部之间形成第二层微通道。基础散热模块内置混合针肋组和椭圆形针肋组，混合针肋...
    2026-05-09
  • 一种基于硅转接板的光电系统级封装模组及寿命预测方法
    一种基于硅转接板的光电系统级封装模组及寿命预测方法_江南大学_202610451111.7
    本发明公开了一种基于硅转接板的光电系统级封装模组及寿命预测方法，属于半导体先进封装与可靠性技术领域。将硅转接板配置为集成无源器件与传感网络的功能化微系统载体，在消除封装介质层带来的热阻延迟、实时采集深层互连区域数据的同时，利用内埋阻容网络优...
    2026-05-09
  • 一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法
    一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202610135585.0
    本发明涉及一种三维堆叠芯片的封装结构及风冷散热方法；其中结构包括由至少两层功能芯片垂直堆叠构成的三维堆叠体，其中，层间用于电性互联的微互连结构阵列在键合形成的层间间隙内形成密集的微针肋；集成于堆叠体侧面的微型风冷发生单元产生垂直于堆叠方向的...
    2026-05-09
  • 功率模块
    功率模块_海南亿塔科技有限公司_202610141554.6
    本发明公开了一种功率模块，包括：功率芯片、一体化底板结构和预成型引线端子组合结构。一体化底板结构的表面铜层具有芯片贴装区域以及电路拓扑的电气连接图形；铜底板的底部表面为散热面。功率芯片贴装在芯片贴装区域。预成型引线端子组合结构的引线端子穿过...
    2026-05-09
  • 用于功率模块的底板结构
    用于功率模块的底板结构_海南亿塔科技有限公司_202610180563.6
    本发明公开了一种用于功率模块的底板结构，包括底部导热底板；底部导热底板包括散热通道区和位于散热通道区周侧的周边区。散热通道区中具有散热通道底板，散热通道底板包括第一复合材料层和形成于第一复合材料层的顶部表面和底部表面的表面金属层。周边区中具...
    2026-05-09
  • 用于带大功率开关管模块电源的有源散热器
    用于带大功率开关管模块电源的有源散热器_中国船舶集团有限公司第七〇四研究所_202610132723.X
    本发明涉及一种用于带大功率开关管模块电源的有源散热器，包括：铝制散热器本体；铝制散热片，其一面通过导热绝缘衬垫与开关管的散热面贴合；半导体制冷片，设置于所述铝制散热器本体与所述铝制散热片之间，所述半导体制冷片的制冷面通过导热介质与所述铝制散...
    2026-05-09
  • 具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法
    具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411632147.2
    本发明公开一种具有硅穿孔的半导体结构及其制作方法，其中具有硅穿孔的半导体结构包含一半导体基底，一硅穿孔穿透半导体基底，硅穿孔包含一金属层、一缓冲层和一绝缘层，金属层的一末端凸出于半导体基底的一背面，一凹槽设置在末端的一侧以及一复合结构填满凹...
    2026-05-09
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