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最新专利技术
  • 单原子材料及其制备方法
    单原子材料及其制备方法_聚交芯创医疗电子(上海)有限公司_202411505333.X
    本申请涉及材料科学与工程技术领域，公开了一种单原子材料及其制备方法，能够有效防止金属原子聚集，实现高通用性和高负载量的单原子制备。该方法包括：将金属前驱体溶解于酸性水溶液中，并将载体材料置于酸性水溶液中，形成包含溶液和载体材料的反应体系；将...
    2026-05-03
  • 一种铝电解槽槽门自动开闭装置及方法
    一种铝电解槽槽门自动开闭装置及方法_云南文山铝业有限公司_202610358164.4
    本发明涉及铝电解槽设备技术领域，具体涉及一种铝电解槽槽门自动开闭装置及方法。其中，所述装置包括电解槽本体、槽门本体、导向组件、驱动组件、传动组件及密封锁紧组件。导向组件对槽门进行悬挂与限位导向；驱动组件输出直线动力；密封锁紧组件利用动配合件...
    2026-05-03
  • 一种用于电解铝残极烟气的摆动式收集罩
    一种用于电解铝残极烟气的摆动式收集罩_成都金中机械设备制造有限公司_202610229666.7
    本发明公开了一种用于电解铝残极烟气的摆动式收集罩，属于电解铝环保设备技术领域。该收集罩主要包括收集罩、摆动机构、横向封板机构和抽风接口。所述摆动机构由电机驱动，通过蜗杆蜗轮减速机和链传动部件带动主动摇杆轴转动，进而通过主动摇杆、连杆和从动摇...
    2026-05-03
  • 一种高抗拉阵列式微孔铜箔及其制备方法
    一种高抗拉阵列式微孔铜箔及其制备方法_九江德福科技股份有限公司_202610215989.0
    本发明涉及电子电路材料技术领域，特别涉及一种高抗拉阵列式微孔铜箔及其制备方法。本发明所述微孔铜箔包括铜箔基体及贯穿所述铜箔基体的多个微孔，所述多个微孔呈阵列分布；所述微孔的孔径小于等于100μm，所述微孔铜箔的孔隙率小于等于25%，且所述微...
    2026-05-03
  • 以铝箔为阴极载体的多孔铜箔及其制备方法和用途
    以铝箔为阴极载体的多孔铜箔及其制备方法和用途_江西华创新材有限公司_202610411044.6
    本发明公开了以铝箔为阴极载体的多孔铜箔及其制备方法和用途，包括以下步骤：电解液配置：所述电解液以去离子水为溶剂，包含硫酸铜、硫酸、氯离子、SPS、PEG和胶原蛋白；电极装配：将钛板作为阳极、铝箔作为阴极置入电解槽中，所述钛板与铝箔相对平行安...
    2026-05-03
  • 基于PAA凝胶聚合物电解质电镀液的镀锌工艺
    基于PAA凝胶聚合物电解质电镀液的镀锌工艺_平顶山学院_202511913697.6
    本发明公开了一种基于PAA凝胶聚合物电解质电镀液的镀锌工艺，电镀液由聚合物骨架、金属盐和液体增塑剂组成的三元体系，其中聚合物骨架由丙烯酸单体聚合并通过笼型倍半硅氧烷改性，再通过交联形成三维网状结构，聚合物骨架的三维网状结构孔隙中充满溶解有金...
    2026-05-03
  • 一种金属合金护栏的梯度复合强化防腐处理方法
    一种金属合金护栏的梯度复合强化防腐处理方法_贵州龙诚御建材科技有限公司_202512031108.8
    本发明公开了一种金属合金护栏的梯度复合强化防腐处理方法，属于金属材料表面处理技术领域。该方法包括：对基体表面进行超声空化微蚀刻与电化学梯度活化预处理；通过微弧氧化‑化学气相沉积耦合工艺，在表面原位生成含非氧化物陶瓷增强相的金属陶瓷复合层，并...
    2026-05-03
  • 兼具原位封堵与主动防护功能的涂层及制备方法和应用
    兼具原位封堵与主动防护功能的涂层及制备方法和应用_山东大学_202610405274.1
    本发明公开了兼具原位封堵与主动防护功能的涂层及制备方法和应用，属于金属材料表面处理技术领域。本发明提出一种创新的电解液设计方案，通过在含特定铈盐与络合剂的磷酸盐体系中对商用5083铝合金进行微弧氧化，一步完成膜层生长与微孔的原位化学封堵，工...
    2026-05-03
  • 一种铝合金涂层材料及其制备方法
    一种铝合金涂层材料及其制备方法_董强_202410443849.X
    本发明提供了一种铝合金涂层材料及其制备方法，通过双氧水预处理由非晶态氧化硅颗粒、α‑Al2O­3颗粒和氧化钪颗粒组成的复合颗粒，增加复合颗粒的水溶性，提高在微弧氧化膜的中分散性，最终获得高耐腐蚀、高硬度、低磨损的微弧氧化层，其中氧化钪颗粒的...
    2026-05-03
  • 一种铝合金金属材料的处理方法
    一种铝合金金属材料的处理方法_董强_202410443852.1
    本发明提供了一种铝合金金属材料的处理方法，最终获得的微弧氧化涂层具有高耐腐蚀、高硬度、低磨损的物化性质。
    2026-05-03
  • 一种自适应调速的高效率氧化上料设备
    一种自适应调速的高效率氧化上料设备_安徽鑫铂新能源汽车零部件有限公司_202610018223.3
    本发明涉及上料设备技术领域，且公开了一种自适应调速的高效率氧化上料设备，包括真空上料机；所述真空上料机的吸料端连接有吸料软管，且吸料软管的底端连接有吸料把管，所述吸料把管的底端通过第一软管连接有吸料轴头；所述吸料把管上安装有多个周向布置的装...
    2026-05-03
  • 一种抗菌电泳和静电粉末喷涂复合涂层及其制备方法
    一种抗菌电泳和静电粉末喷涂复合涂层及其制备方法_安徽同曦高科新材料有限责任公司_202512037023.0
    本申请属于金属表面处理技术领域，公开了一种抗菌电泳和静电粉末喷涂复合涂层的制备方法：采用抗菌电泳漆对金属材料表面进行电泳处理，制备得到抗菌电泳涂层；然后通过砂纸打磨和清洁脱脂后，浸渍在钝化剂中进行钝化处理，并静电粉末喷涂制备抗菌粉末涂层，最...
    2026-05-03
  • 电镀装置
    电镀装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411515940.4
    本申请提供一种电镀装置，包括：电镀腔，用于容纳电镀液；阳极，位于电镀腔的内部；基板保持装置，用于夹持基板并在电镀期间将基板的镀覆面浸没于电镀液中；基板延伸组件，包括延伸腔、延伸阴极和隔膜，延伸阴极位于延伸腔的内部且被阴极偏置，隔膜用于隔离延...
    2026-05-03
  • 一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统
    一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统_湖南宏盛智能装备有限公司_202610166505.8
    本申请公开了一种金刚石线锯镀镍镀层厚度的智能控制方法及系统，涉及智能控制技术领域，该方法包括：建立结合镀镍槽和加固镀镍槽的结合镀镍约束空间和加固镀镍约束空间；优化生成结合镀镍槽的结合镀镍参数；执行结合镀镍工序，检测结合镀镍层厚度分布，完成金...
    2026-05-03
  • 一种光伏电池全自动电镀夹具
    一种光伏电池全自动电镀夹具_西安泰金新能科技股份有限公司_202610128950.5
    本发明公开了一种光伏电池全自动电镀夹具，包括电镀夹具和用于承载并驱动电镀夹具的夹具工装；电镀夹具包括底板组件、导电组件、紧固组件；底板组件安装在夹具工装上；紧固组件安装在底板组件上，并与设置在夹具工装上的驱动气缸连接；导电组件安装于紧固组件...
    2026-05-03
  • 一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置
    一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置_江西硅矿利用核心技术研发投资有限公司_202610198269.8
    本发明属于矿物加工技术领域，尤其涉及一种通过熔盐电解法连续提纯低品位石英砂的方法与装置，将氯化物盐、除杂剂以及低品位石英砂共同投入反应电解槽内，通过加热使其达到设定温度并保温，低品位石英砂在除杂剂的作用下发生反应，使其晶格内所含的铁、铝等杂...
    2026-05-03
  • 一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法
    一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法_清华大学_202511933074.5
    本发明提出了一种利用激光制备钙钛矿单晶薄膜的设备及方法，该方法主要利用毛细作用形成合适厚度的钙钛矿前驱体溶液薄膜，并通过线形光斑激光诱导蒸发与局域微流场，调节溶液中钙钛矿的浓度，实现钙钛矿的单晶生长，之后利用软件编程控制衬底和激光的相对运动...
    2026-05-03
  • 一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用
    一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用_德州学院_202511845082.4
    本发明属于无机卤化物材料技术领域，特别涉及一种Sb掺杂的CsCd5Cl11全无机卤化物及其制备方法和应用。本发明成功合成了具有三维刚性结构的新型全无机金属卤化物CsCd5Cl11，其结构中含有畸变的[CdCl6]4‑八面体。此外，通过引入S...
    2026-05-03
  • 一种紫外非线性光学晶体的生长方法
    一种紫外非线性光学晶体的生长方法_中国科学院福建物质结构研究所_202610002195.6
    本发明公开一种紫外非线性光学晶体的生长方法，包括如下步骤：a.将LBGO晶体原料和助熔剂混合，升温熔化，得到高温溶液；b.将步骤a中的高温溶液降温至LBGO晶体生长点；c.在过饱和温度点下，使籽晶接触高温溶液液面，降低高温溶液的温度，进行晶...
    2026-05-03
  • 一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法
    一种惰性气体分压的氮化镓单晶生长方法_江西科技师范大学_202610054818.4
    本发明公开一种惰性气体分压的氮化镓晶体生长方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明包括(1)在氮气和惰性气体的混合气氛环境中，对GaN单晶生长原料进行加热，保持温度以及混合气氛气压至GaN籽晶生长完成形成GaN晶体；(2)待所述GaN晶体降...
    2026-05-03
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