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最新专利技术
  • 量子点发光二极管和显示装置
    量子点发光二极管和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001781.8
    本申请提供了一种量子点发光二极管和显示装置，该量子点发光二极管包括层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，量子点发光二极管还包括插入层，插入层设置于电子传输层和阴极之间，插入层被配置为降低量子点发光二极管的正向老化速率。可提升量子点...
    2026-05-08
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001763.X
    一种显示基板，包括：第一显示区(A1)。第一显示区(A1)包括沿第一方向(D1)延伸且沿第二方向(D2)排布的多个子显示区(A11)、以及位于相邻子显示区(A11)之间的多个透光区(A13)。子显示区(A11)包括：基底(100)以及设置在...
    2026-05-08
  • 显示基板和显示装置
    显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001761.0
    一种显示基板和显示装置，显示基板包括显示区域(AA)，显示区域(AA)包括第一显示区(A1)和第二显示区(A2)，第一显示区(A1)包括多个像素岛区(A11)和分布在像素岛区(A11)之间的多个透光区(A12)；多个第一类型子像素，位于所述...
    2026-05-08
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001770.X
    显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。显示基板包括多个显示单元，所述显示单元包括：沿行方向和/或列方向阵列排布的多个像素单元，所述多个像素单元包括共享像素单元和第一防窥像素单元，所述第一防窥像素单元在第一方向上的视角小于所述共享像素单元在所...
    2026-05-08
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202580001544.6
    一种显示面板及显示装置；该显示面板包括发光层，发光层包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域与第二区域沿第一方向排布，第三区域设于第一区域及第二区域的第二方向的一侧；发光层包括第一共享子像素、第二共享子像素、第三共享子像素、第一防窥子像素...
    2026-05-08
  • 显示装置
    显示装置_LG电子株式会社_202380102856.7
    一种显示装置，包括：显示面板，包括安装有TFT阵列层的光学基板；盖板，覆盖所述光学基板的背面周缘；支撑面板，位于所述光学基板的背面下侧，并安装有向所述显示面板提供驱动信号的印制电路板；以及后盖，覆盖所述支撑面板，并位于所述光学基板的背面下侧...
    2026-05-08
  • 有机发光显示设备
    有机发光显示设备_雅世电子科技有限公司_202480062812.0
    有机发光显示设备可包括：多个阳极电极，其位于多个子像素上；多个有机发光层，其位于多个阳极电极上；多个阴极电极，其位于多个有机发光层上；多个无机绝缘层，其位于多个阴极电极上；多个第一突出部，其设置于第一方向上的多个子像素之间，并具有侧部上的多...
    2026-05-08
  • 用于沉积OLED像素的沉积掩模
    用于沉积OLED像素的沉积掩模_LG伊诺特有限公司_202480063751.X
    根据本发明的实施方式的沉积掩模包括支承部和在支承部上的掩模部，其中，支承部包括第一层和第二层，第一层具有小于第二层的热膨胀系数的热膨胀系数，第一层具有大于第二层的硬度的硬度，并且第二层包含与掩模部的材料相同的材料。此外，第一层的线性热膨胀系...
    2026-05-08
  • 用于管理晶圆变形的多重参数植入
    用于管理晶圆变形的多重参数植入_应用材料股份有限公司_202480063072.2
    公开一种基板中的应力管理方法。所述方法可包括：在基板的主表面上设置应力补偿层；以及实行链式植入程序以将一组离子植入至应力补偿层中。链式植入程序可包括：将第一植入程序引导至基板，第一植入程序在应力补偿层内产生第一损坏轮廓；将不同于第一植入的第...
    2026-05-08
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序_株式会社国际电气_202480063603.8
    本发明提供一种能够抑制热扩散而进行改性处理的技术。具备：准备至少形成有第1膜的基板的工序；以使电磁波相对于第1膜的吸收率高于电磁波相对于基板的吸收率的方式，供给电磁波而进行改性处理以便使基板的温度成为预定温度以下的工序。
    2026-05-08
  • 等离子处理方法
    等离子处理方法_株式会社日立高新技术_202480053708.5
    为了提供能不使晶片表面的图案因等离子损伤地除去附着于晶片背面的金属污染物质的晶片处理方法，设为以下的结构。等离子处理方法具有：第一工序，对载置于样品台的样品进行等离子处理；第二工序，在第一工序后，在样品的表面形成沉积膜；和第三工序，在第二工...
    2026-05-08
  • 方向性反应离子蚀刻特征的矩形性
    方向性反应离子蚀刻特征的矩形性_应用材料股份有限公司_202480061268.8
    本文所公开的是在半导体结构内形成开口端的方法。在一些实施例中，方法可包括提供在半导体装置的一层中形成的开口，其中该开口包含一组彼此相对的侧壁，以及连接到该组侧壁的第一和第二端壁，其中第一和第二端壁中的每一个界定一尖端，以及在该尖端和该组侧壁...
    2026-05-08
  • 蚀刻方法、半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物
    蚀刻方法、半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物_中央硝子株式会社_202480063369.9
    本发明提供一种能够选择性地蚀刻包含Si和O且不包含N的膜的蚀刻方法、应用该蚀刻方法的半导体器件的制造方法、蚀刻装置、表面处理气体组合物以及含有表面处理材料的蚀刻气体组合物。本发明涉及一种蚀刻方法，其中，使(I)包含HF气体的蚀刻气体组合物和...
    2026-05-08
  • 半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统
    半导体装置的制造方法和半导体装置的制造系统_东京毅力科创株式会社_202580003136.4
    一种半导体装置的制造方法，包括以下处理：针对具有激光吸收层及第一接合层的第一基板和具有第二接合层的第二基板中的所述第一接合层与所述第二接合层进行接合所得到的重合基板的未贴合区域，进行将填充材料填充到与所述第一接合层的第一外周位置相对应地预先...
    2026-05-08
  • 板式加热装置及其制造方法
    板式加热装置及其制造方法_KSM元件株式会社_202480062797.X
    本发明提供了一种板式加热装置及其制造方法，该装置包括陶瓷板基板和嵌入在所述陶瓷板基板中的加热线，其中，非烧结陶瓷粉末定位在所述加热线的外周部分与陶瓷板基板之间。非烧结陶瓷粉末是具有比构成所述陶瓷板基板的陶瓷材料高至少50℃的烧结温度、小于或...
    2026-05-08
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202480063276.6
    本公开的基板处理装置具备：容器；开口部，设置于所述容器，用于供基板通过；闸门，用于对所述开口部进行开闭；基板保持部，在所述容器的内部保持所述基板；排气管道，从所述容器的内部向外部排出气体；排气风门，调整所述排气管道的排气量；开度传感器，检测...
    2026-05-08
  • 标记装置、标记方法、半导体晶圆以及半导体芯片
    标记装置、标记方法、半导体晶圆以及半导体芯片_琳得科株式会社_202480063424.4
    为了防止以后无法读取对半导体晶圆或半导体芯片赋予的预定标记，对半导体晶圆(WF)或半导体芯片(CP)赋予预定标记(MK)的标记装置(EA)具备：标记单元(10)，其对半导体晶圆(WF)或半导体芯片(CP)赋予预定标记(MK)；以及被覆单元(...
    2026-05-08
  • 具有非周期性有机网状冷却通道图案的冷却板
    具有非周期性有机网状冷却通道图案的冷却板_朗姆研究公司_202480063815.6
    描述了包含非周期性的有机网状冷却通道段图案的冷却板，比起在具有更规则的冷却通道段几何图案的冷却板中，其提供更均匀且更有效的冷却性能。
    2026-05-08
  • 输送装置
    输送装置_雅马哈智能机器株式会社_202480063349.1
    输送装置(10)包括：振动板(20)，以非接触的方式对制品进行保持；基座(12)，对所述振动板(20)进行支撑；以及振动元件(40)，通过对所述振动板(20)施加振动而使所述振动板(20)产生超声波保持力，所述振动板(20)具有：周边部(2...
    2026-05-08
  • 具有定位补偿的销升降器
    具有定位补偿的销升降器_VAT控股公司_202480063810.3
    销升降装置(10)被配置用于在处理气氛区域(P)中移动和定位待处理的基板(1)，销升降装置(10)包括升降单元，其具有被配置为保持至少一个升降销(7a‑7c)的安装件(11)和驱动单元(14)，驱动单元(14)连接到安装件(11)并且与安装...
    2026-05-08
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