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自行车,非机动车装置制造技术
  • 本实用新型公开了一种多级除尘设备,包括箱体,所述箱体的一端开设有出气口,所述箱体的另一端开设有进气口,所述箱体的两侧均开设有通槽,所述箱体的两侧均对称固定连接有多组支板,多组所述支板之间均安装有四方柱,多组所述四方柱上分别固定安装有放料辊与...
  • 本发明公开了一种带有废气处理装置的医用管挤塑机,本发明涉及挤塑机生产技术领域。该一种带有废气处理装置的医用管挤塑机,通过负压机构,利用气流在环形管,输送管b,的内部高速流动时,导致吸口和层管的内部会产生负压,利用吸口内部产生的负压,会将挤塑...
  • 本实用新型公开了一种实时监测空挂状态的安全绳挂钩,属于安全绳挂钩技术领域。包括D型挂钩、弹片条、安全绳组件、智能主机。所述D型挂钩侧壁安装有挂钩锁扣,通过底端的铰接扣活动连接;所述D型挂钩的底端有拉环,所述D型挂钩通过拉环与安全绳组件相连接...
  • 本实用新型涉及一种多功能泳池清洁机器人,机器人包括壳体、过滤机构、行走驱动机构和浮潜驱动装置,过滤机构安装在壳体内部,浮潜驱动装置设置在壳体内部,行走驱动机构安装在壳体外部,且行走驱动机构前端有部分伸出至壳体外侧,抽水装置安装在壳体内部。本...
  • 本发明涉及水利工程技术领域,具体涉及一种水渠护坡联锁块吊装设备与操作方法。一种水渠护坡联锁块吊装设备,包括行走总成、蓄供电总成、座椅、操控总成、吊运总成、旋转总成、抓取总成。本发明提供了一种水渠护坡联锁块吊装设备与操作方法,该设备结构紧凑、...
  • 本实用新型公开了一种具有筛分结构的脉冲除尘器,包括容纳箱,所述容纳箱的底部连通有进气管,所述容纳箱的顶部连通有出气管,所述容纳箱的中部固定连接有第一支撑板,所述第一支撑板上设置有若干个用于筛分的一级过滤袋,所述容纳箱内腔的顶部固定连接有第二...
  • 本发明提供一种自走式起重设备及其方法,涉及起重设备技术领域,其中,自走式起重设备包括底座和工作台,底座和工作台之间设有升降机构,工作台上安装有控制台,控制台上安装有起重臂;底座四周设有支撑机构,支撑机构与工作台之间设有斜支撑杆;还包括配重板...
  • 本发明提供了一种锁销自动套准控制系统、控制方法及运载车,涉及工程机械技术领域。该锁销自动套准控制系统包括检测输入单元以及控制输出单元,检测输入单元包括视觉定位组件、主回转编码器、吊具回转编码器、起竖臂角度检测传感器、主臂角度检测传感器、滑动...
  • 本实用新型公开了塑料回收技术领域的一种具有防尘结构的塑料回收用输送装置,包括连接架、第一连接辊、连接板和连接罩,所述第一连接辊转动连接在所述连接架的内侧壁之间,所述连接板位于所述连接架的前后两侧,所述连接罩固定连接在所述连接架的顶部,所述连...
  • 本发明涉及芯片技术领域,具体为一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及其制备方法,包括:由下至上依次设置的N+衬底层、N层、P+层,所述N+衬底层与N层构成N‑N+衬底,所述P+层与N层构成P+‑N结;芯片边缘区域的沟槽,沟槽内壁覆盖复合钝化层,...
  • 本申请涉及储能技术领域,尤其是涉及一种储能柜及储能系统,储能柜包括柜体以及储能组件,储能组件安装于柜体内;柜体包括支撑梁,且至少一根支撑梁形成有输送通道以及与输送通道相连通的进水口和喷洒部,进水口能够通过管路与外界的消防液源相连通,且当储能...
  • 本发明公开了一种电瓶水冷及加热智能防火装置,水箱内侧装有水位监测加热棒底板及四周装有加强筋板,可防止水箱变形和稳固电瓶防水散热盒。水箱盖板设有进水口、抽水口及抽水管道,数显湿控线缆进线口。水箱外壳装有烟雾报警感应器及水泵,水箱中装有电瓶防水...
  • 半导体装置可以包括下布线图案、下绝缘层、沟道图案、栅电极、第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案,第一源极/漏极图案包括第一下部区域和第一中间区域。第二源极/漏极图案包括第二下部区域和第二中间区域。半导体装置进一步包括连接下布线图案和第一源...
  • 本发明是一款供大小动力的电动车轮,使用的永磁磁流体动力边跑边发电自供自用的电动车,其发明作用是用于大小车辆全部能安装的,自发电自供自用的永磁磁流体动力发电机轮,其车有挡风挡雨挡手挡腿和无限续航的电动车。其车安全性能可靠,不受风雨伤害,再也不...
  • 本发明涉及Si1‑xGex/Si异质结叠栅氧化层阶梯沟道双栅隧道场效应晶体管;目的是在缓解双栅TFET(DGTFET)的双极效应问题的基础上进一步提高双栅TFET(DGTFET)的开态电流和开关电流比,以及降低亚阈值摆幅;包括漏区、沟道区和...
  • 本发明公开了一种SiSiC异质结双沟槽MOSFET的制备方法,属于半导体技术领域,步骤如下:通过外延生长在N+衬底上依次形成N‑漂移区和CSL区;将Si材料层键合到CSL区上,形成Si/SiC异质结;通过两次离子注入,依次制备P沟道区和N+...
  • 一种半导体器件包括基于碳化硅的半导体层结构,其包括有源区。在半导体层结构的上部部分中设置栅极沟槽(360),该栅极沟槽具有第一圆化下部角部和第二圆化下部角部(366)。在栅极沟槽中设置栅极电极(380)。在有源区内,栅极电极的上表面低于半导...
  • 一种用于形成半导体器件的方法(100),所述方法包括:提供(110)具有至少一个鳍(1)或纳米线的基材;形成伪栅极(3、4);在至少一个鳍(1)或纳米线和伪栅极(3、4)上提供(120)间隔物(5);实施(130)第一RMG模块,其中,高k...
  • 本发明公开了一种掺磷硬碳负极材料,满足50ppm≤X≤300ppm,2ppm≤Y≤15ppm,1%≤Y/X≤10%,S≤10m2/g,其中,X表示掺磷硬碳负极材料总磷含量,Y表示掺磷硬碳负极材料中游离磷的含量,S表示掺磷硬碳负极材料的比表面...
  • 本发明公开了一种太阳能界面蒸发复合光热材料及其制备方法与应用,属于太阳能利用与废水处理技术领域。所述材料以漂珠或空心玻璃微珠为基体,表面复合有炭黑和沥青构成的光热层,三者的质量比为100:(3~7):(12~20),优选为100:5:16。...
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